理想开关同步开关稳压器应用于降压转换 开关稳压器：用N沟道MOS场效应管为有源开关。 MOS场效应管的体二极管。 半导体的源漏间存在一个P－N结。 如下图所示 插入有相应P－N结的MOS场效应管。 在死区时间内，开关节点的电压也不会下降到负无穷大，而是通过低端MOSFET中的P－N结（如红色所示）承载电流，直到死区时间结束并且低端MOS场效应管导通为止。

工作温度范围内导通电阻与硅相当 关键比较参数：通电阻RDS（on） SiC MOS场效应管低倍增系数（κ），100℃时，84mΩ的CoolSiC与57mΩ的CoolMOS的RDS（on）相同。 CoolSiC具更高的击穿电压V（BR）DSS，它在需要低温环境下启动的应用中非常有益。 CoolSiC器件温度对RDS（on）影响小 原因：典型工作温度范围内导通电阻变化小。 CoolSiCMOS场效应管理想协同元件EiceDRIVER，要有低RDS（on），需18V栅极电压（VGS）， 若选择新栅极驱动器，则需有13V欠压锁定功能的驱动器，以确保目标应用在异常条件下安全运行，SiC在25～150℃间温度对传输特性的影响有限。

什么是Cascode 它是Si MOS场效应管与SiC结型场效应管串联连接。 如下图所示 Si MOS场效应管栅极=高电平，MOSFET导通，SiC JFET的GS短路，其导通。 Si MOSFET栅极=低电平，其漏极电压上升直，让SiC JFET的GS电压=关断负压，元件关断。 Cascode结构优势 1.相同导通电阻，面积更小 2.栅极开关由Si MOSFET控制，可沿用Si的驱动设计，无需单独设计驱动电路。

MOS场效应管特点：开关速度快，导通电阻小。 MOS场效应管栅极模型 MOSFET内部，由许多个单元即小MOSFET并联组成。a：AOT460内部显微结构图，其内部的栅极等效模型如 B：MOSFET的结构确定了其栅极电路为RC网络。 MOSFET关断过程中，栅极电压VGS下降，从等效模型可得，在晶元边缘的单元先达到栅极关断电压VTH，因此先关断，中间的单元，因RC网络延迟，滞后达到栅极关断电压VTH，后关断。

箝位电路的作用 宁是应用于将MOS场效应管上的最大电压控制到特定值，若此电压达到阈值， 所有额外的漏感能量，即转移到箝位电路，或先储存，再耗散，或重新送回主电路。 箝位缺点 1.它会耗散功率并降低效率，解决方案：用齐纳二极管降低功耗 缺点：它们会在齐纳二极管快速导通时，增加EMI的产生量。 最常用是RCD箝位 优势：平衡效率+低EMI产生量+低成本 RCD箝位 它的原理：MOS场效应管关断后，次级二极管立即保持反向偏置，励磁电流对漏极电容充电，如下a电路所示：

电流负载：MOS场效应管多个并联，即实现高电流和功耗。 经Q1电流值： 此电流可通过VREF实现控制。 运算放大器：低输入失调电压+能采用单电源供电。 让电路吸大电流或消耗数十瓦的功率，则可用运算放大器控制多个并联工作的MOS场效应管。 并联MOS场效应管会有不良影响： 1.不同晶体管，导通阈值不同，阈值有负温度系数。 即晶体管的漏极电流间存在大差异，晶体管发热，阈值会降低，电流增大，更热。 解决办法： 让晶体管电流均衡，对每个晶体管的源极增加一个串联的小电阻器。 注意：源极电阻两端的电压降与阈值要相当，会占用1V大部分，均衡电阻就会消耗很大功率，两端压降也会占用电路可工作的最小电压。

什么是桥臂串扰 SiC MOS场效应管三相全桥逆变电路中，同一桥臂上下元件易受寄生参数的影响，互相产生干扰，即桥臂串扰。 桥臂串扰可造成桥臂直通，烧毁元件 因SiC MOS场效应管栅极电压极限值，栅极阈值电压都相对较低，桥臂串扰问题更加突出。 SiC MOS场效应管寄生参数影响

第一代 SPICE 仿真程序使用的 MOS场效应管模型 级别 1 时序计算和低仿真时间提供高准确度 即 Schichman-Hodges 模型 应用于：栅极长度 >  10 µm 的器件。 通道长度调制通过使用参数 L 建模。 跨导：考虑体偏置。 Level 1 模型：不包括载流子饱和效应、载流子迁移率退化或弱反转模型。 级别 2 考虑大量电荷效应 即 Grove-Frohman 模型 如：阈值电压恒定且仅随衬底电压变化，则不考虑短沟道效应。

MOS场效应管的横截面图 如下电路 MOS场效应管电路模型在雪崩中，充当二极管的 pn 结不再阻断电压。 加上过高的电压会到临界场，碰撞电离 ≈∞，雪崩倍增，载流子浓度增加。 因径向场分量，元件内部的电场在结弯曲处最强。 此强电场在寄生 BJT 附近产生最大电流 如下图所示 当压降足以正向偏置寄生 BJT 时 雪崩下的MOS场效应管横截面 功耗会增加温度，即RB增加 原因：硅电阻率随温度增加。 根据欧姆定律，在恒定电流下，增加电阻，导致电阻两端的电压降增加。

配合MOS场效应管要正常工作的驱动电路，驱动芯片驱动MOS场效应管电路如下所示： 电源VCC→M1和Rg，给Cgs，Cgd充电，MOS场效应管开通 充电简化电路如下所示： M1关断 M2开通 Cgs通过Rg和M2放电，MOS场效应管关断 放电简化电路如下所示： 驱动电流及速度决定驱动能力 即驱动电流，驱动的上升，下降时间。 驱动上升,下降时间：影响器件开通及关断速度。