振铃危害，振铃干扰半桥芯片正常工作波形，半桥驱动MOS场效应管工作时的波形 当上桥逻辑输入为高时，上桥MOS场效应管开通，相线CH2上产生振铃，振铃通过线路的杂散电容耦合到上桥自举电压，造成上桥的VBS电压CH4）过低，让驱动芯片进入欠压保护，上图中VBS的电压已跌至5V。 上图，当Hin（CH1）有脉冲输入时，因振铃， MOS场效应管有时不能正常打开。 因：驱动IC进入了欠压保护。 欠压保护并不是每个周期都会出现。 因此，在测试时，应设置适当的触发方式来捕获这样的不正常工作状态。

MOS场效应管体二极管对振铃的影响 由桥式拓扑结构分析：当管有反向恢复电流，流过，这样就改变了RLC振荡电路的初始条件，即初始条件变为： t=0时， i=I yr·U.=0， 此时电感里储存的能量为： 因此相比初始电流i=o，U2=0时的幅值，此时的振铃幅值会更高。因此MOSFET的体二极管恢复特性对振铃也起着至关重要的作用。 实际应用中，一般下桥体二极Q小并具有较软恢复特性的MOSFET， 其引起的振铃会相应较小。 抑制相线振铃的措施由以上分析可知，要抑制相线 振铃必须做到： 1.尽量减小回路的引线电感.这需要在布线时使上述回路的面积最小且使用较宽的导线； 2.增加RC吸收电路减小振铃； 3.减小上桥关断速度，路中的di/dt；

自举电容取值相关因素 1.上桥MOS场效应管的栅极电荷QG 2.上桥驱动电路的静态电流IQBS 3.自举电容的漏电流ICBS（leak） 4.驱动IC中电平转换电路的电荷要求QLS 电容最小容量计算公式：F=工作频率 VF=自举二极管正向压降 VLS=下桥器件压降或上桥负载压降 自举电容应该要在每个开关周期内，提供足够和以上电荷，才保持电压基本不变，否则VBS会有电压纹波且非常大，也可能会低于欠压值VBSUV，致上桥无输出并停止工作。

低成本解决方案 功率集成解决低功率非隔离AC/DC要求，Link交换机TN系列的离线切换器IC。 成本降低，但基于Link交换机的TN基AC/DC切换器在性能上不会妥协。 设计应用于实现Buck、Buck Boost和回扫拓扑，Link交换机TN芯片集成了700 V功率MOS场效应管与所需的电源控制器功能。 包括振荡器、开关控制电路、高压开关电流源、用于电磁干扰(EMI)减少的频率抖动、逐周期电流限制和热关断，如下图所示： Link交换机TN成员LNK304/ 6的功能框图

雪崩电流在功率MOS场效应管的数据表中标示为IAV，雪崩能量代表功率MOSFET抗过压冲击的能力。 最大雪崩电流 在测试过程中，选取一定的电感值，然后将电流增大，即功率MOS场效应管开通的时间增加，关断，直到功率MOSFET损坏，对应的最大电流值即最大的雪崩电流。 在数据表中，标称的IAV通常要将前面的测试值做70%或80%降额处理，因此它是一个可以保证的参数。 一些功率MOS场效应管供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测，因为有降额，因此不会损坏器件。

脉冲漏极电流在功率MOS场效应管的数据表中标示IDM 功率MOS场效应管工作可工作在饱和区，即放大区恒流状态。 如果功率MOSFET稳态工作在可变电阻区，对应的VGS的放大恒流状态的漏极电流远远大于系统的最大电流. 导通过程中，功率MOSFET要经过Mille台区，此时Miller平台区的VGS的电压对应着系统的最大电流。 然后Miller电容的电荷全部清除后，VGS的电压才慢慢增加，进入到可变电阻区，最后，VGS稳定在最大的栅极驱动电压，Miller平台区的电压和系统最大电流的关系必须满足功率MOSFET的转移工作特性或输出特性。

当元件封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮的封装DPAK， TO220， D2PAK， DFN5*6等，那么器件的结到裸露铜皮的热阻RθJC是一个确定值， 根据硅片允许的最大工作结温TJ和裸露铜皮的温度TC，为常温25℃，就可以得到器件允许的最大的功耗PD。 得： PD=TJ-TC/RθJC 当功率MOS场效应管流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD： 得：PD=ID2●RDS（ON）-TJ（max） 上二式联立，可得最大连续漏极电流ID： ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）

非隔离开关 芯片上高功能集成，高压开关功率消耗很小，但分额定静态电流约为100μA， 低负载，可提供100毫安的输出电流，并且7引脚SO封装减少了系统的尺寸和成本。 可用此切换器建立各种转换器拓扑结构，如降压、降压升压和反激式，具有最少数量的外部元件。 TI公司的UCC8880在单片集成了控制器和700 V功率MOS场效应管。 还集成了片上高压电流源。

MOS场效应管功功率耗散：阻性+开关损耗 PDDEVICE TOTAL = PDRESISTIVE + PDSWITCHING MOS场效应管功率耗散依赖导通电阻（RDS（ON）），首先获得 RDS（ON）很重要。 结温（TJ）影响 RDS（ON） TJ又受MOS场效应管功率耗散+ 热阻（ΘJA）影响。 因此，要计算出功率耗散，有很多的因素影响，,说明：选择各同步整流器和开关 MOS场效应管的迭代过程。 过程中，各MOS场效应管的结温为假设值，两个 MOSFET 的功率耗散和允许环境温度通过计算得出。 允许环境温度 ≥ 期望机箱内最高温度，过程结束。 迭代过程：始于为每个 MOSFET 假定一个结温，计算每个 MOSFET 各自的功率耗散和允许的环境温度。 允许环境温度 ≥ 电源及其所驱动的电路所在的机壳的期望最高温度，过程结束。

SET组成：漏极+源极+与源漏极耦合的量子点+两个隧穿结+用来调节控制量子点中电子数的栅极； 双栅极单MOS场效应管与一个四端元件等效，如下图所示： （a）MOS场效应管双栅极SET的等效示意图 （b）MOS场效应管双栅极SET的I-V特性