电流负载：MOS场效应管多个并联，即实现高电流和功耗。

经Q1电流值：

此电流可通过VREF实现控制。

运算放大器：低输入失调电压+能采用单电源供电。

 

让电路吸大电流或消耗数十瓦的功率，则可用运算放大器控制多个并联工作的MOS场效应管。

 

并联MOS场效应管会有不良影响：

1.不同晶体管，导通阈值不同，阈值有负温度系数。
即晶体管的漏极电流间存在大差异，晶体管发热，阈值会降低，电流增大，更热。

 

解决办法：

让晶体管电流均衡，对每个晶体管的源极增加一个串联的小电阻器。

注意：源极电阻两端的电压降与阈值要相当，会占用1V大部分，均衡电阻就会消耗很大功率，两端压降也会占用电路可工作的最小电压。

 

2.建立大电流、高功率负载方法：
对每个MOS场效应管分别控制，避免因阈值散布，引起电流不平衡。
如下图所示：

电流负载原理图：两个独立控制MOS场效应管。

跳线J1闭合，J2断开，电路以恒流模式工作，总负载电流：

检测电阻数值相等R2=R5=RS，总负载电流简化：