工作温度范围内导通电阻与硅相当

关键比较参数：通电阻RDS（on）

SiC MOS场效应管低倍增系数（κ），100℃时，84mΩ的CoolSiC与57mΩ的CoolMOS的RDS（on）相同。

 

CoolSiC具更高的击穿电压V（BR）DSS，它在需要低温环境下启动的应用中非常有益。

CoolSiC器件温度对RDS（on）影响小

原因：典型工作温度范围内导通电阻变化小。

 

CoolSiCMOS场效应管理想协同元件EiceDRIVER，要有低RDS（on），需18V栅极电压（VGS），

若选择新栅极驱动器，则需有13V欠压锁定功能的驱动器，以确保目标应用在异常条件下安全运行，SiC在25～150℃间温度对传输特性的影响有限。

 

避免栅极负电压

栅极负电压会导致SiC MOS场效应管长期退化，从而导致潜在故障。

设计时应绝对保证VGS ≥ -2V以下运行超过15ns。

 

如果发生小于的情况，栅极阈值电压（VGS（th））的漂移可能会导致在整个应用寿命期间RDS（on）增大，最终导致系统效率下降，选择SiC因高效率。

对于硅MOS场效应管，一般用一个高电阻值的电阻，规避负VGS，减慢di/dt和dv/dt。

 

SiC元件，即在栅极和源极间插入一个二极管电压钳位。

避免SiCMOSFET栅极电压=负，则用二极管钳位+独立的公共端+Kelvinsource。

如果负电压只是电感问题，则选择带有Kelvinsource的CoolSiC元件，但这可能导致EON损耗比没有它的器件低三倍。

 

CoolSiCMOS优势：

在漏源电压VDS > 50V，具有更高的输出电容COSS，过冲水平降低，无需用栅极电阻。

 

SiC技术QOSS特性

利于采用硬开关和谐振开关拓扑架构

 

原因：所需的放电更少，会影响连续导通模式（CCM）图腾柱PFC中的Eon损耗。

用48mΩ器件，对于3.3kWCCM图腾柱PFC而言，效率可以达到99％以上。

CoolMOS场效应管应用在双升压DualBoost PFC设计中可能得最高效率峰值为98.85％。