NMOS场效应管Q2的作用，很关键，它是用来降压稳压。 Q2工作在放大区 如NMOS场效应管Q2的Vgs Vgs=2.5V NMOS场效应管Q2的源极输出电压为： 12V-2.5=9.5V 此时B+的电压发生，一定范围的跳动也是没关系。 NMOS场效应管Q2的输出不会受影响。 注意： NMOS场效应管Q2的DS间耐压值是否承受的了。 当负载电流较大时，需要考虑此时的NMOS场效应管Q1，也会存在很大的功率，发热量会很大，因此layout要注意做好散热。

三相OBC电路中SiC MOS场效应管应用更高的开关频率，可以减小磁性元器件体积和重量，提高效率和功率密度，同时高系统母线电压，大大减少功率器件数量，便于电路设计，提高可靠性。 SiC MOS场效应管应用于大功率OBC电路图 如下图所示

为什么要用缓启动 如，热插拔时，连接器的机械触点在接触瞬间会出现弹跳，引起电源振荡， 9或因系统大容量储能电容的充电效应，系统中会出现很大的冲击电流。 在瞬时产生的大电流，工作时产生明显的打火现象，这会引起电磁干扰，并对接插件造成腐蚀，因此需要“缓慢”上电。缓启动电路作用： 1.防抖动延时上电 2.控制输入电流的上升斜率和幅值。缓启动电路工作原理 MOS管具备低导通阻抗Rds_on和驱动简单的优势，在这基础上配合其它的元器件，就能构成缓慢启动电路。 在正电源中用PMOS，在负电源中使用NMOS 用一个NMOS管搭建的一个-48V电源缓启动电路图

电源抑制比(PSRR) 表示 LDO 滤除输入电压变化的能力,区域 1:基准和电阻器-电容器滤波器的 PSRR 区域 2:误差放大器的开环增益 区域3:场效应品体管和输出电容器的寄生电容以及相关的寄生电容(电容分压器) 寄生电容越小，交流耦合到 Vou的 V越少Cou 越大，分流到 GND 的噪声就越多相关的等效串联电感(ESL)也会影响 PSRR 性能,哪些条件不影响 PSRR 如果 VBIAs 高于最小值，则没有影响

MOS场效应管电源应用于电焊机的拓扑图 单相逆变线电路 三相逆变线电路

PMOS场效应管打开时，前级电源VCC电压会跌落 原因：VCC_3G并联一个1000uf电容，初步判断是mos管开启瞬间充电电流引起。减小容值有比较小的改善，直接去掉后电压才不会跌落，但是这个储能电容又不能去掉。 解决方案 解决这个问题的关键，就在于降低大容量电容的充电速度。 1.在1000uF与PMOS管之间串联电阻或者在电容上面串联电阻； 2. 在PMOS管之前增加串联电阻； 2.降低PMOS管的开通速度，包括在GS间并联电容或者在GD间并联电容； 3.在PMOS管与电容之间串联电阻或者在电容上面串联电阻 这种方法，其实就是降低电容的充电电流，从而减小前级电源电压的跌落。

VMOS场效应管全称V型槽MOS场效应管 特点：继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。 高阻抗：≥108W 小驱动电流：0.1μA左右 耐压高：最高可耐压1200V 大工作电流：1.5A～100A 高输出功率：1～250W 非常好的跨导的线性 开关速度快 应用于：电压放大倍数可达数千倍因此应用于电压放大器，功率放大器、开关电源和逆变器。 VMOS场效应管结构特点 1.金属栅极采用V型槽结构； 2.具有垂直导电性。 因漏极是从芯片的背面引出，ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。

NMOS管稳压器具有下列特点: 要求输入电压高于输出电压 高出的幅度依据传输晶体管的VGS要求;

因为电源 (电池) 电压增强了MOS场效应管 ，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导，该电路的 NMOS 版本比 PMOS 版本更好，因为分立式 NMOS 晶体管导电率更高、成本更低且可用性更好。 在这两种电路中，MOS场效应管 都是在电池电压为正时导通，电池电压反转时则断开连接。MOS场效应管 的物理“漏极”变成了电源，因为它在 PMOS 版本中是较高的电位，而在 NMOS 版本中则是较低的电位，由于 MOSFET在三极管区域中是电对称的，

功放级原理电路,推动级与后级之间的耦合取消传统的电容耦合方式，功率放大管采用双极型FET场效应管，此线路每声道为4对，并联使用，降低输出阻尼系数，此线路输出功率为50W，欣赏大动态音乐足够，每声道为4对时，如果配对比较困难，可采用2对，配对误差要求在3％以内。 各管要用云母绝缘，并涂上导热硅脂，各功率管的栅极电阻采用五色环1／4W的金属膜电阻。阻值越大，音色越“暖和”，经试验在330ohm到470ohm之间为最好，吸收回路中C与R的值不能太小，也可不要。