mos场效应管dV/dt失效 因mos场效应管关断，瞬态充电电流，流经寄生电容Cds→基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极→发射极间产生电位差VBE，让寄生双极晶体管导通，产生短路，导致失效的现象。

SiC MOS场效应管寄生导通产生机理 开通：门限值选择门极15V或18V，配置好载流能力或好的短路耐用性。 关断：保险的方法是负电压关断，有效的保证可靠关断，减少误触发的机率。

MOS场效应管开路或关断，因电感磁通量要连续性，不可转移到副边的储存在漏电感中的磁通量，会立即切断漏电感电流，即高压尖峰跨过MOS场效应管的漏与源极。

D1=快恢复二极管 减小关断损耗及关断时间 Rg1限制关断电流 R=mos管栅源极的下拉电阻 给mos场效应管栅极积累的电荷提供泄放回路。 mos场效应管栅极高输入阻抗的特性 干扰或静电，会导致MOS管误导通 因此R1作用：降低输入阻抗，值10k~几十k，Lp=驱动走线的杂散寄生电感 包括驱动IC引脚、MOS引脚、PCB走线的感抗，难确定精准值，取几十nH。

两个MOS场效应管串联替换继电器，作为交流电路中的一个触点。2个IRF530可在100V的峰值电压下的电路中作负载切换。 IC1=一个不稳定振荡器 是建立在著名的555定时器上的，提供一个方波电压源驱动MOS场效应管对的栅极。 R1 R2=定时电容器C1提供充放电路径

MOS场效应管的体内寄生二极管导通能力及反向恢复表现并不比普通二极管好，V（BR）DSS 的正温度，ID的负温度，雪崩能力IER/EAS的负温度，V（GS）th 的负温度系数特性漏极电位的快速上升有可能会发生栅极驱动的假触发现象 spurious-trigger

建模一个适合BSIM模型的MOS场效应管通道。 该模型以物理为基础，通过亚阈值、弱反和强反准确地捕捉转换过程。 它具有很好的速度和收敛性 被应用于：仿真平台 如下图所示 典型的碳化硅MOS场效应管器件的横截面，需要包含由EPI区域的多晶硅重叠形成的门极到漏极的临界电容CGD。 电容器：高度非线性金属氧化物半导体（MOS）电容器。 电容的耗尽区域依赖于复杂的工艺参数 包括：掺杂分布，p阱dpw间的距离，外延层的厚度。

半桥驱动器块具有多个可编程的上拉和下拉电流源，用于为外部 MOSFET 的门极充电。 外部MOS场效应管 和电机负载半桥预驱动器电路，如下图所示 半桥预驱动器比较简化，控制外部 MOS场效应管  和电机负载 橙色：可编程电流源，实现先进的压摆率控制。 快速导通，可分阶段增加HS1的上拉电流源，快速给门极充电，为电机负载提供可预测的开关行为。 精确的压摆率控制优势 赋高脉宽调制PWM频率，更严格最小和最大占空比，并管理功率损耗和减少电磁辐射。

SIC MOS场效应管驱动用自举电路驱动一个半桥，简化电路即减少一路电源，即可以节约成本。 但是实现自举电路时注意事项： 1.自举电容Cboot要选寄生电感尽可能小的电容，避免充电时产生LC震荡 2.由因上管在导通时，是通过自举电容放电，确保上端正常开关，要调整PWM为自举电容预留充电时间

噪声源：电源+运行环境+电场和磁场+辐射波+片上晶体管的开关活动 为什么要有CMOS场效应管反相器噪声容限 为了在特定的噪声条件下提供适当的晶体管开关，电路的设计必须包括这些特定的噪声容限。 什么是CMOS场效应管反相器噪声余量 纯数字反相器：有电容，逻辑从高到低，并不会立即切换。 逆变器逻辑：高电平→低电平，这一区域中，会有一个不清楚区域，此区电压高或底是无法判断的，此时刻即噪声余量。