MOS管场效应管与三极管作为开关应用：

1.考虑成本(价格)：MOS管场效应管 （贵）> 三极管 

2.驱动能力（应用）：

MOS管场效应管应用：电源开关，高频高速电路，大电流开关电路，基极或漏极控制电流比较敏感处；

三极管应用：数字电路开关控制；

3.功耗：MOS管场效应管 < 三极管 (损耗大)

4.功能性质：MOS管场效应管电压控制，三极管电流控制；

 

MOS管场效应管与三极管工作方式对比：

MOS管场效应管工作原理

增强型MOS管  漏极D与 源极S间两个背靠背PN结

当栅极与源极 电压VGS=0时 + 漏极-源极 电压VDS  其中有一个PN结处于反偏状态，

漏极—源极间没有电流流过 漏极电流ID=0

栅极—源极加上正向电压 VGS>0，栅极—硅衬底间SiO2绝缘层中产生一个栅极指向P型硅衬底电场，栅极电压VGS不能形成电流，氧化物层两边形成电容，VGS等效是对此电容充电，同时形成电场，VGS逐渐升高，受栅极正电压吸引，电容另一边聚集大量电子形成漏极到源极N型导电沟道。

VGS >MOS管开启电压VT(一般约为 2V)，N沟道管导通，形成漏极电流ID。

VT：开始形成沟道时的栅极—源极开启电压。

控制栅极电压VGS即可改变电场强弱，可控制漏极电流ID。

 

三极管工作原理：

三极管也叫晶体三极管，分两种锗管和硅管，结构形式分：NPN和PNP

发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。