英飞凌infineon在开发电容式微机械超声换能器（CMUT）技术方面取得了重大进展。该技术使该公司能够为基于MEMS的超声换能器制造第一个集成的单芯片解决方案，该解决方案具有更小的占地面积、更高的性能和更高的功能。这种集成使新设备成为开发新的超声波应用和改进消费电子、汽车工业和医疗技术中现有应用的理想选择。

开关S1按下之前：Q1的G极通过电阻R1、C4的作用为高电平，AO3415为PMOS管不会导通，VIN没有电压输出。 当开关S1按下：Q1的G极被拉低，Q1被导通VIN有电压输出。 按键松开时：由于电容C4通过VIN、R2、R11充电，充电完成后LM393同相端的电压降保持和VIN一致，高于反向端的电压，有电压比较器的原理可知，电压比较器输出高电平Q2被导通，G极被拉低，Q1被导通，完成开机过程。

米勒效应带来的误开通，如下图所示，MOS场效应管可看作是一个受门极电压控制的开关，当门极电压大于开通阈值时，MOS场效应管就会被开通；而当门极电压低于开通阈值时，功率器件就会被关断，但在实际的应用中，由于器件及外围线路寄生参数的影响，会导致原本关断的功率器件会被误开通。

MOS场效应管自锁型控制电路是为了，电源系统中反馈回路失效，输出电压升高超出规定时，避免设备损坏的过压保护解决方案其中一种。 三种过压保护工作原理 隔离自锁型控制电路 当过压保护信号CONTROL端给出一个高电平时，U1中的三极管导通，VCC为整个电路的供电端，Vcc经R5给Q2一个基极电流，Q1导通并进入饱和状态，SHUT端被Q2拉至低电平，PWM关闭电源无输出。

CmosTTL传输门电路，若P=0，N=1： 当A作为输入端且为高电平时，信号从上面的三极管传输到B端输出（P端三极管导通）； 若A为低电平，则通过下面的三极管送到B端（N端三极管导通）。 当B作为输入端且为高电平时，信号从下面的三极管送到A端输出（N端三极管导通）；若为低电平，则从上面的三极管传输到A端（P端三极管导通）。 若P=1，N=0，则两个三极管都截止，此时A、B之间相当于断开的开关。 因为是P=0，N=1时打开传输门，所以画出的电路符号上是P上有小圆圈，N上没有。

用2003集成IC驱动继电器时，不需要再加二极管进行保护， 原因：2003内部已经集成了放电二极管 其内部电路结构，可以看出2003每个输出口都集成了一个二极管连接到了COM口。 注意 COM口不能连接到GND上 原因：二极管是为了放掉继电器线圈中的能量 放电回路应该是继电器线圈→二极管→继电器线圈，COM口应该连到电源上才可。

按键消抖通常的按键所用开关为机械弹性开关，当机械触点断开、闭合时，由于机械触点的弹性作用，一个按键开关在闭合时不会马上稳定地接通，在断开时也不会一下子断开，因而在闭合及断开的瞬间均伴随有一连串的抖动，为了不产生这种现象而作的措施就是按键消抖。

在一些IO电平不匹配的情况，需要用到电平转换电路，特别如I2C总线上，主芯片和多个外设直接，较常遇到电源域电压不一致的情况。正向，左到右： 1，当SDA_M(Master端)输出为高电平，此时MOS场效应管的Vgs=0，MOS管不导通，SDA_S(Slave)线被电阻上拉到5V; 2，当SDA_M输出为低电平，此时MOS场效应管的Vgs=3.3V(大于导通电压)，MOS管导通，SDA_S通过MOS管被拉低到低电平;

SiC-MOS场效应管T属于第三代功率半导体器件。具有高功率密度、耐压高、耐高温及抗辐射电迁移等优点，特别适合恶劣环境。 然而其缺点也很明显。由于其禁带宽度比硅基的宽，其正向跨导Gfs就小，导致为减小静态损耗，加在栅极上的电压VGS就得大。另外，它的Crss比较大，miller效应就比较大，致使开启或关闭需要的电荷量Q就大。因此在使用时必须采用miller钳位，或者负压关断来解决。

“地”在电子技术中的定义是：作为电路或系统基准的等电位点或平面。 电路图和电路板上的GND代表地线或零线。 开关电源中比较常见的“地”主要有交流地、直流地、模拟地、数字地、信号地等。接地是指将电路与大地连接在一起，以形成电路的参考点和电流的回路。 接地的主要作用是保证电路的安全和稳定。