工作原理 两个用于管理充电和放电的N沟道功率MOS场效应管放置在接地端，漏极背靠背连接，这是PCM的常见方案之一，如下图所示，其中，Q1是用于电池放电的功率MOS场效应管，Q2是用于电池充电的功率MOSFET，B+是电池的正极，B-是电池的负极，P+是电池组的正极，P-是电池组的负极，VSS是电池保护管理IC的接地，即电池的负极，VSS和Q1的电源连接。在PCM板工作之前，Q1和Q2都关闭。

早期数据中心将电网电压集中转换为 12V，然后通过总线将电力传输至服务器，再通过逻辑电平转换器将电压转换为 3.3/5V。 但是功率需求不断提升，此供电方法的电能损耗变得不可接受。因此，母线电压被提高到 48V，电流减小到原来的 1/4，损耗降低到原来的 1/16。目前处理器电压进一步降低，从 3.3V 降到低于 1V 的亚伏特级别，此时就需要使用多条功率相对较高的电压轨，进而产生两级电压转换方案。

MOS管电容自举驱动电路IC内部图 自举电容电路 基于IC驱动半桥开关电路，驱动IC内部半桥输出拓扑：1.Q1关断，Q2打开，Q2栅极电压=VCC； 2.Q2导通，Q1关断，Q1源极电压≈0V， 此时VCC电压通过Rboot→Dboot→Cboot→Q2-GND，对自举电容Cboot进行充电； Q2充满电，Q2关断，打开Q1，Q1源极和GND断开，相当于浮空

寄生等效串联电感ESL是表面贴装器件(SMD)电阻器的固有特性。 由于检测电阻器的值较低（毫欧级），ESL会对检测架构带来显著的影响。为了消除寄生ESL所带来的影响，必须在检测走线中添加RC滤波器。 ESL不仅包含检测电阻器寄生电感，而且还包含由电路板布局和走线引起的总电感 ESL可通过公式3计算： VESL(step)是检测电阻器两端的附加电压。 滤波器需要产生一个RC时间常数，该常数等于或小于计算出的检测电阻器时间常数(ESL/R)。移除滤波器后，检测电阻器将表现出与其电阻特性叠加的电感特性。这些可以通过检测电阻器波形上的尖峰（电压阶跃）观察到，如下图所示。

NPN继电器开关电路，当由于晶体管的开关作用向线圈供电时 由于欧姆定律（I = V / R）所定义的线圈直流电阻 将流过最大电流，其中一些电能存储在继电器线圈的磁场内 当晶体管切换为“ OFF”时，流经继电器线圈的电流减小，磁场消失，磁场中存储的能量必须到达某个位置，并且在线圈上试图保持继电器线圈中的电流时会在线圈两端产生反向电压，此动作会在继电器线圈上产生一个高电压尖峰，如果堆积会损坏开关NPN晶体管。

基本上有内部会集成自举电路，可提供高于电源电压的驱动电压，实现迅速开关MOS管， 如DGD0506，IC供电电源电压是15V，可提供高达50V的驱动电压输出。 VB和VS引脚间的电容，即自举电容，是完成升压的核心器件。 如下图电路，驱动IC的Vs引脚直接接到MOS的S极，即解决没有GND作为S极电压参考的问题。

当器件内部，载流子在不连续的材料上移动时，会随机的遭遇到捕获和释放，进而产生闪烁噪声。 MOS管中栅极的氧化层与硅介质层之间，就存在不连续性。在CMOS管工艺中，闪烁噪声取决于接触面的纯度，如果从一种CMOS工艺换到另一种CMOS管工艺时，闪烁噪声的值可能会大不相同。 在饱和区时，闪烁噪声可以用与栅极级联的电压源来表示，粗略地可以表示为：

大功率光伏逆变器组成：多个 PV 电池板串联连接，实现进入逆变器输入端的高直流输入电压。 将优化器部署到相应的 PV 电池板，可获得超高效率,输出旁路电路的作用 原因：所有 PV电路板均以串联方式连接，如果任何一个太阳能电池板发生故障，则PV电池板串的电压会崩溃。

设计：主副输入电压相等，并要求输出相同电压，压降小 解决方案 用MOS场效应管导通时，低Rds特性，成本低，高效率。 此电路， Vin1 = 3.3V，Vin2电压有无不定，都由Vin1通过Q3输出电压。 Vin1断开，由Vin通过Q2输出电压 MOS管Rds小，产生压降差不多为数十mV，Vout基本等于Vin。

MOS场效应管电平转换 此电路组成：由MOS管电阻 当5V电路发送高电平时，MOS管Q1不导通，因此3.3V端的电压被上拉电阻R2拉至3.3V，为高电平。 当5V电路发送低电平时，MOS场效应管Q1导通，MOS场效应管Q1的S极变为低电平，即3.3V端变为低电平。