英飞凌infineon推出全球首款集成肖特基二极管的工业氮化镓（GaN）晶体管产品系列,集成肖特基二极管的英飞凌CoolGaN™晶体管通过减少不希望的死区时间损失来提高电源系统的性能。从而进一步提高整体系统效率。此外，集成解决方案简化了功率级设计并降低了BOM成本。

脉冲式自动充电器电路图，此电路能自动控制电池的充电时间，防止过充电。 电路设有三种工作模式 先检测充电电池的电压，如需充电，则启动充电电路； 充电一段时间后，开始放电； 放电结束后再检测。 当充电电压符合要求时，停止充电。

MOS场效应管工作即产生损耗：导通+开关 导通 在“导通”状态，栅极电压 > MOSFET平台电压，MOS场效应管完全导通下产生的损耗。 导通时，漏极和源极间有小电阻，即导通电阻RDS(on)，当电流流过时产生的功耗。 导通损耗Pcon主要与MOS场效应管的导通电阻有关：

辐射电磁干扰 (EMI) 是一种在特定环境中动态出现的问题，与电源转换器内部的寄生效应、电路布局和元器件排布及其在运行时所处的整体系统相关。 辐射EMI的问题通常更具挑战性，复杂度更高，在系统主板使用多个 DC/DC 功率级时尤为如此。

元件与电压源并联，对外电路等效成电压源，元件与电流源串联，对外等效成电流源，此时对外电路，与电压源并联的元件和与电流源串联的元件是虚元件，可以去掉。 多个电压源可以串联，对外等效成一个电压源，多个电流源可以并联，对外等效成一个电流源，注意 只有值相等的电压源，才可以并联，对外等效成一个电压源，且不能确定各并联电压源的电流;  只有值相等的电流源才,可以串联，对外等效成一个电流源，且不能确定各串联电流源的电压。

开关电源的过压保护功能和电源防倒灌电压，它他的功能不一样。 过压保护：电源向外保护，防止外部负载系统损坏； 防倒灌：外部电压对开关电源的影响，避免产品的输出端存在倒灌电压时，损坏开关电源，输出端反灌电压产生的原因 在开关电源中，据倒灌电压产生的机理，输出端存在反灌电压原因 1.系统在不同的输出电压之间切换时，会存在高压电压倒灌到低压电源中 应用：直流充电桩设备，经常会出现此问题。 2.开关电源的负载是感性负载，负载工作时，会产生感应电动势，感应电动势生成的电压倒灌到开关电源的输出端；

如果遇到IO电平不匹配时，或在I2C总线，主芯片与多个外设直接时，会遇到不相同的电源域电压。上图是经典案例 从左向右，正向 SDA_M(Master端)输出高电平 MOS场效应管 Vgs=0 ，管子不导通，SDA_S(Slave)线被电阻上拉到5V; SDA_M输出低电平 MOS场效应管Vgs=3.3V，此电压>导通电压，管子导通，SDA_S过管子被拉低到低电平; 从右向左，反向 SDA_S输出高电平 MOS场效应管 Vgs=0，管子不导通，SDA_M线被电阻上拉到3.3V; SDA_S输出低电平 初始MOS场效应管的Vgs=0V，管子不导通;

电容器降压 优势：电容降压的电源体积小、经济、可靠、效率高 缺点：不如变压器变压的电源安全。 电容器降压它实际是电容限流,通过电容器把交流电引入负载中，对地有220V电压，人易触电，但若用在不需人体接触的电路内部电路电源中，此缺点可克服。 电容器降压应用：冰箱电子温控器，遥控电源的开/关等电源 电容器上产生的热能损耗很小，电容器降压更优于电阻降压。 此类电路用于低成本取得非隔离的小电流电源。

高效电能转换 IGBT 能够快速地进行开关动作，大大提高了电能转换效率。 在中频电源中，通过 IGBT 精确控制电能的通断，减少了能量在转换过程中的损耗，使得中频电源能够以较高的效率运行，降低了生产成本。 精确的频率控制 中频电源需要输出特定频率的交流电，IGBT 的快速开关特性可以精确地控制电流的通断时间，从而实现对输出频率的精确调节，满足不同工业生产对特定频率电源的需求。

LM2576降压型DC-DC稳压IC的输出电压分：固定版+可调 可调：输出电压可调，带后缀Adj IC输入电压：高压版和低压版，后缀带HV，最高输入电压可达60V， 低压版最高输入电压为40V 此用低压版输出电压可调的LM2576-Adj 元件选择 电感L要选用电流≥3A的功率电感，可以选用大电流的工字电感或环形电感。如果有条件，亦可以选用线径合适的漆包线及磁环自己绕制，L的直流电阻越小越好。 二极管VD选用3A/40V的SR360肖特基二极管。