设计应用 电子元器件百科 设计工具 Datasheet(PDF)下载
  • 请关注微信众公号
    查看更多技术文章
  • MOS场效应管双向电平转换电路分析及注意事项-竟业电子

       时间:2025/3/20       阅读:13    关键词:MOS场效应管

     

    如果遇到IO电平不匹配时,或在I2C总线,主芯片多个外设直接时,会遇到不相同的电源域电压

    MOS场效应管双向电平转换电路分析及注意事项

    上图是经典案例
    从左向右,正向
    SDA_M(Master)输出高电平
    MOS场效应 Vgs=0 ,管子不导通SDA_S(Slave)线被电阻上拉到5V;

    SDA_M输出低电平
    MOS场效应Vgs=3.3V,此电压>导通电压管子导通SDA_S过管被拉低到低电平;

     

    从右向左,

    SDA_S输出高电平
    MOS场效应 Vgs=0,管不导通,SDA_M线被电阻上拉到3.3V;

    SDA_S输出低电平
    初始MOS场效应Vgs=0V不导通;

    SDA_S是低,MOS场效应管体二极管SDA_M拉低,
    Vgs=3.3V  导通SDA_M通过MOS场效应管被进一步拉低到低电平;

    不应存在两边同时输出情况

     

    注意

    Vgs选取,目前最多应用是3.3V/1.8V间电平转换

     

    仿真电路

    MOS场效应管双向电平转换电路分析及注意事项


    VG1模拟输出一个1kHz方波,作输出端,是3.3V IO电平。
    MOS T1右侧5V IO电平
    MOS T2右侧3.3V IO电平
    此处用两套电路来模拟相互转换
    R13.3V输出端的上拉
    R25V IO端的上拉
    R3右侧3.3V输出端上拉

    服务热线

    0755-83212595

    电子元器件销售平台微信

    销售