2021年10月27日—英飞凌infineon发布其首款汽车电流传感器：新型XENSIV™ TLE4972。 无芯电流传感器采用英飞凌infineon久经考验的霍尔技术，实现精确稳定的电流测量。凭借其紧凑的设计和诊断模式，TLE4972非常适合xEV应用，如用于混合动力和电池驱动车辆的牵引逆变器，以及电池主开关。

2021年10月26日—随着电气化和连通性的提高，车辆面临更大的网络攻击风险，这可能会带来严重后果。因此，汽车制造商必须为远程通信数据提供充分的保护。 英飞凌Infineon因此推出了SLI37汽车安全控制器：一种易于设计且可靠的信任锚，用于保护安全关键型汽车应用，如5G ready eUICC（eCall）、V2X通信、汽车访问或SOTA更新。

英飞凌infineon推出新的SECORA™ 基于40纳米技术的付费产品组合，具有同类最佳的非接触式性能 2021年10月20日—近年来，非接触式支付出现了明显的趋势。随着新冠疫情爆发后市场环境的挑战，这一发展势头明显增强。预计支付市场将越来越多地转向非接触式解决方案，在2021年占全球76%的双接口份额，在未来五年内将达到91%*。 英飞凌infineon在过去八年中一直是支付IC的市场领导者，目前的市场份额为48%*。为了补充基于最新40纳米技术平台的支付服务，英飞凌infineon现在推出了新的SECORA™ 产品组合支付解决方案。

世界上最强大的1500 VDC串级逆变器：来自Sungrow的英飞凌Infineon模块和芯片技术功率352 kW光伏解决方案 最新1500 V光伏串逆变器SG350HX的推出，Sungrow提供了一种新的市场领先解决方案，其最大输出功率为352 kW。因此，与Sungrow的上一代逆变器相比，新逆变器的输出功率显著增加约40%。该逆变器随英飞凌Infineon 的产品一起提供，有助于提高性能：定制的EasyPACK™ 配备新发布CoolSiC的电源模块™ MOSFET，最新一代CoolSiC二极管以及最新的沟槽式顶部™ 芯片技术。

在与英飞凌infineon的合作下，总部位于慕尼黑的初创公司PIONIERKRAFT通过创新的硬件和服务解决方案PIONIERKRAFTwerk（仅限德国）克服了这些障碍。这项技术使自产太阳能能够在不同家庭之间按需进行物理分配。在英飞凌infineon的支持下，可再生能源可以以分散的方式与邻国共享，而无需中间储存

英飞凌infineon新EasyPACK™ 2B EDT2功率模块，用于50 kW以下牵引逆变器 英飞凌infineo推出了经汽车认证的EasyPACK™ 2B EDT2，一个灵活可扩展的半桥电源模块。根据逆变器条件，此750 V设备的最大功率可达50 kW和230 a rms。凭借其独特的规格，该模块针对混合动力和电动汽车中的逆变器应用进行了优化。

2021年9月英飞凌infineon科技股份有限公司今天正式在其位于奥地利的维拉赫工厂开设了其300毫米薄晶圆上的电力电子高科技芯片工厂，其口号是“为未来的使命做好准备”。价格为16亿欧元，半导体集团的投资是欧洲微电子行业最大的此类项目之一。 Villach工厂是世界上最现代化的工厂之一，由英飞凌infineon首席执行官Reinhard Ploss、英飞凌奥地利首席执行官Sabine Herlitschka、欧盟委员蒂埃里·布雷顿和奥地利总理塞巴斯蒂安·库兹共同开业。

2021年9月16日—Flex Power Module推出了BMR310，这是一种非隔离开关电容中间总线转换器（IBC），为数据中心提供高功率密度，从而提高了电路板空间利用率并为其他组件腾出空间。BMR310基于英飞凌infineon专有的零电压开关开关电容转换器（ZSC）技术，在半负载时可实现98%以上的效率，在紧凑的封装中可连续提供高达875 W的功率。它在40 V到60 V的输入电压范围内工作，并提供10 V到15 V的无调节输出电压。

英飞凌Infineon PSoC™ 64标准安全MCU系列为更安全的物联网设备实现PSA 2级认证 2021年9月15日英飞凌Infineon宣布，该公司已获得PSoC的Arm®平台安全体系结构（PSA）2级认证™ 64微控制器（MCU）标准安全设备系列。2级认证包括对PSA信任根（PSA RoT）的实验室评估，以提供设备可以抵御可扩展软件攻击的证据。评估实验室使用PSA RoT的脆弱性分析和渗透测试，以确定是否满足PSA RoT保护配置文件的九项安全要求。

英飞凌infineon的电源和传感器系统部门总裁安德烈亚斯·乌尔希茨表示：“除了与第1代相同的高可靠性标准外，下一代客户还将受益于晶体管更容易的控制以及显著改善的成本状况，这要归功于转向8英寸晶圆制造。” 就像联合开发的第1代设备，英飞凌infineon的CoolGaN™ 还有松下的X-GaN™, 第二代将基于通常关闭的硅上GaN晶体管结构。这与混合漏极嵌入式门注入晶体管（HD-GIT）结构无与伦比的健壮性相结合，使这些组件成为首选产品，也是市场上最长期可靠的解决方案之一。