英飞凌infineon 2025预测-氮化镓（GaN）半导体：GaN将在多个行业达到采用临界点，进一步推动能源效率

通过利用GaN，AI数据中心可以提高功率密度，这直接影响计算能力的大小。

随着世界继续面临气候变化和环境可持续性的挑战，英飞凌处于创新的前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的所有相关半导体材料的力量，推动脱碳和数字化取得有意义的进展。

英飞凌infineon在其2025年的预测——GaN功率半导体中强调，氮化镓将成为一种改变游戏规则的半导体材料，彻底改变我们在消费、移动、住宅太阳能、电信和人工智能数据中心行业实现能源效率和脱碳的方式。GaN在终端客户的应用中提供了显著的优势，实现了高效的性能、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总体成本。虽然USB-C充电器和适配器一直是先驱，但GaN现在正朝着在其他行业采用的临界点发展，从而大大推动了GaN基功率半导体市场的发展。

英飞凌infineonGaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：英飞凌致力于通过基于所有半导体材料Si、SiC和GaN的创新来推动脱碳和数字化，随着GaN因其在效率、密度和尺寸方面的优势而发挥作用，综合电力系统的相关性将增加。鉴于与硅的成本平价在望，我们将在今年及以后看到GaN的采用率提高。

驱动AI将高度依赖GaN。人工智能数据中心所需计算能力和能源需求的快速增长将推动对能够处理与人工智能服务器相关的大量负载的先进解决方案的需求。曾经管理3.3千瓦的电源现在正朝着5.5千瓦的方向发展，预计每台电源将达到12千瓦或更高。通过利用GaN，AI数据中心可以提高功率密度，这直接影响到在给定机架空间内可以提供的计算能力。虽然GaN具有明显的优势，但将GaN与Si和SiC结合的混合方法非常适合满足AI数据中心的要求，并在效率、功率密度和系统成本之间实现最佳权衡。

在家电市场，英飞凌infineon预计GaN将获得巨大的吸引力，这是由于洗衣机、烘干机、冰箱和水/热泵等应用对更高能效等级的需求。例如，在800W的应用中，GaN可以实现2%的效率增益，这可以帮助制造商实现令人垂涎的a级。英飞凌表示，电动汽车中基于GaN的车载充电器和DC-DC转换器将有助于提高充电效率、功率密度和材料可持续性，并转向20千瓦以上的系统。结合高端SiC解决方案，GaN还将为400V和800V电动汽车系统提供更高效的牵引逆变器，从而有助于提高行驶里程。

在2025年及以后，机器人技术将广泛采用GaN，这种材料能够提高紧凑性，推动送货无人机、护理机器人和人形机器人的增长。随着机器人技术整合了自然语言处理和计算机视觉等人工智能进步，GaN将提供紧凑、高性能设计所需的效率。将逆变器集成在电机机箱内消除了逆变器散热器，同时减少了每个接头/轴的布线，简化了EMC设计。