英飞凌infineon推出世界上最薄的硅功率晶片，突破技术界限，提高能源效率

英飞凌infineon宣布了世界上第一个300毫米氮化镓（GaN）功率晶片，并在马来西亚库林开设了世界上最大的200毫米碳化硅（SiC）功率工厂，随后公布了半导体制造技术的下一个里程碑。英飞凌infineon在处理和加工有史以来制造的最薄的硅功率晶片方面取得了突破，该晶片厚度仅为20微米，直径为300毫米，位于一家大型半导体工厂。超薄硅片的厚度只有人类头发的四分之一，是目前最先进的40-60微米硅片的一半。

英飞凌infineon科技首席执行官Jochen Hanebeck表示：世界上最薄的硅片证明了致力于通过突破功率半导体技术的技术边界来提供卓越的客户价值，英飞凌在超薄晶圆技术方面的突破标志着节能电源解决方案向前迈出了重要一步，并帮助我们充分利用全球脱碳和数字化趋势的潜力。凭借这项技术杰作，通过掌握所有三种相关半导体材料：硅、碳化硅和氮化镓，巩固了我们作为行业创新领导者的地位。

这项创新将大大有助于提高人工智能数据中心以及消费者、电机控制和计算应用中电源转换解决方案的能源效率、功率密度和可靠性。与基于传统硅晶片的解决方案相比，将晶片的厚度减半可以将晶片的基板电阻降低50%，从而将电力系统的功耗降低15%以上。对于高端AI服务器应用，不断增长的能源需求是由更高的电流水平驱动的，这在功率转换中尤为重要：这里的电压必须从230 V降低到1.8 V以下的处理器电压。超薄晶圆技术提升了垂直功率输送设计，该设计基于垂直沟槽MOSFET技术，允许与AI芯片处理器非常紧密的连接，从而降低功耗并提高整体效率。

英飞凌infineon电力与传感器系统部门总裁Adam White表示：新的超薄晶圆技术推动了我们以最节能的方式为从电网到核心的不同AI服务器配置供电的雄心，随着人工智能数据中心的能源需求大幅上升，能源效率变得越来越重要。对于英飞凌来说，这是一个快速增长的商机。随着中两位数的增长率，我们预计我们的人工智能业务将在未来两年内达到10亿欧元。

为了克服将晶圆厚度减少到20微米量级的技术障碍，英飞凌的工程师必须建立一种创新而独特的晶圆研磨方法，因为将芯片固定在晶圆上的金属堆叠厚度超过20微米。这显著影响了薄晶片背面的处理和加工。此外，晶圆弯曲和晶圆分离等技术和生产相关挑战对后端组装过程产生了重大影响，确保了晶圆的稳定性和一流的鲁棒性。20微米薄晶圆工艺基于英飞凌现有的制造专业知识，确保新技术可以无缝集成到现有的大批量硅生产线中，而不会产生额外的制造复杂性，从而保证最高的产量和供应安全。

该技术已通过认证，并应用于英飞凌的集成智能功率级（DC-DC转换器），该产品已交付给首批客户。它突显了该公司在半导体制造领域的创新领导力，因为该公司拥有与20微米晶圆技术相关的强大专利组合。随着目前超薄晶圆技术的加速发展，英飞凌预计在未来三到四年内，低压功率转换器将取代现有的传统晶圆技术。这一突破巩固了英飞凌在市场上的独特地位，英飞凌拥有最广泛的产品和技术组合，包括硅、碳化硅和氮化镓基器件，这些器件是脱碳和数字化的关键推动因素。

英飞凌infineon的20微米超薄硅片厚度仅为人类头发的四分之一，是目前最先进的40-60微米硅片厚度的一半。