英飞凌Infineon通过业界首个空间限定的并行接口1和2Mb F-RAM扩展了辐射硬化存储器产品组合

天基应用是英飞凌Infineon的一个重要领域，该公司的产品用于卫星、火星车仪器和太空望远镜，所有这些都需要最高的可靠性，即使在最不利的条件下也是如此。英飞凌今天宣布推出业界首款辐射硬化（rad-hard）1和2Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储设备。这些对英飞凌广泛的存储器产品组合的补充具有无与伦比的可靠性和耐用性，在85摄氏度下可保持长达120年的数据，以及总线速度下的随机存取和全内存写入。
 

英飞凌Infineon F-RAM设备本质上是拉德硬的，该技术非常适合天基应用程序不断发展的任务要求，这些应用程序历来使用较慢、不太耐用的EEPROM非易失性存储设备。与替代方案相比，其特点包括更快的存储器随机存取、具有即时非易失性写入技术的更好的数据安全性和低功耗，编程电压极低，低至2 V，最大工作电流为20 mA。

英飞凌Infineon航空航天与国防部副总裁Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用程序被设计成在系统上处理数据，而不是在地面上通过遥测处理数据，对与太空级处理器和FPGA协同工作的高可靠性非易失性存储器的需求越来越大。”。“英飞凌于2022年为该市场推出了第一款SPI F-RAM设备，并行接口设备的增加反映了我们致力于为下一代空间需求提供一流、高度可靠和灵活的解决方案。”

英飞凌Infineon的rad硬盘F-RAM设备的目标应用程序包括传感器和仪器的数据存储、校准数据的数据记录、数据加密的安全密钥存储和引导代码存储。除了外层空间，它们还适用于需要军事标准温度等级（-55°C至125°C）的航空电子和其他应用

与SPI版本一样，新的英飞凌Infineon并行接口F-RAM设备的化学成分产生了特殊的非易失性存储器功能，包括原子状态的瞬时切换，而不是EEPROM技术中的捕获电荷编程位。F-RAM固有地不受软误差和磁场或辐射效应的影响。不需要软件来管理页面边界，而且几乎无限的持久性（10 13个写入周期）意味着不需要损耗均衡。

并联器件封装在44铅陶瓷TSOP中，QML-V合格器件具有卓越的辐射性能：

TID:>150克拉（硅）

SEL:>196 MeV·cm 2/mg@115°C

SEU：免疫

SEFI:<1.34*10-4 err/dev.day（活动/待机）/Immune（睡眠模式）

英飞凌Infineon的辐射硬化1和2Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储设备具有无与伦比的可靠性和耐用性，在85摄氏度下可保持120年的数据。