英飞凌Infineon为FOXESS提供功率半导体，以提高储能应用的效率和功率密度

英飞凌Infineon向FOXESS供应其功率半导体器件，FOXESS是绿色能源行业快速增长的领导者，也是逆变器和储能系统的制造商。双方旨在促进绿色能源的发展。英飞凌Infineon将为FOXESS提供其CoolSiC™MOSFET 1200 V，该MOSFET将与EiceDRIVER™栅极驱动器一起用于工业储能应用。同时，FOXESS的串式光伏逆变器将使用英飞凌Infineon的IGBT7 H7 1200 V功率半导体器件。

光伏储能系统（PV-ES）的全球市场在过去几年中以高速增长。随着PV-ES市场竞争的加速，提高功率密度已成为成功的关键，如何提高储能应用的效率和功率密度备受关注。英飞凌Infineon的CoolSiC MOSFET 1200 V和IGBT7 H7 1200 V系列功率半导体器件采用了最新的半导体技术和设计理念，适合工业应用。

英飞凌科技大中华区高级副总裁兼工业与基础设施主管于代辉先生表示：“作为功率半导体行业的领导者，我们很自豪能与福克斯紧密合作。我们将继续推动脱碳，为PV-ES应用提供更高的功率密度和更可靠的系统。”

FOXESS董事长朱景成先生表示：“得益于英飞凌Infineon先进组件的支持，FOXESS的产品在可靠性和效率方面得到了显著提高。这是FOXESS增长的重要推动力。英飞凌的技术支持和产品质量不仅增强了我们的竞争力，还扩大了我们在市场上的影响力。我们对未来充满信心，期待与英飞凌进一步合作，共同推动行业发展，为客户创造更大价值。”

英飞凌Infineon的CoolSiC MOSFETs 1200 V具有高功率密度，可以在不增加电池尺寸的情况下将损耗减少50%，并提供约2%的额外能量，这对高性能、轻量化和紧凑型储能解决方案尤其有利。FOXESS的H3PRO 15kW-30kW储能系列采用英飞凌的CoolSiC MOSFET 1200V，适用于所有型号。得益于英飞凌卓越的性能，H3PRO系列实现了高达98.1%的效率和卓越的EMC性能；凭借卓越的性能和可靠性，H3PRO系列在全球市场的销量增长迅速。

英飞凌Infineon的TRENCHSTOP IGBT7 H7 650 V/1200 V系列具有较低的损耗，有助于提高逆变器的整体效率和功率密度。在大功率逆变器项目中，具有100A以上电流处理能力的大电流模封装分立器件可以减少并联IGBT的数量，取代IGBT模块解决方案，进一步提高系统可靠性，降低成本；此外，H7系列以其高质量的性能和更大的防潮性能成为行业标杆。目前，福克斯的主要工业和商业型号R系列75-110千瓦，通过使用IGBT7 H7系列离散件重新定义了100千瓦型号的整体设计，整机效率可达98.6%。得益于IGBT 7 H7系列在分立封装中的低功率损耗和高功率密度，可以简化和优化并联过程中的均流等技术问题。

每个电源设备都需要一个驱动器，而正确的驱动器可以使设计更容易。英飞凌Infineon提供500多个EiceDRIVER栅极驱动器，典型输出电流为0.1 A～18 A，具有全面的保护功能，包括快速短路保护（DESAT）、有源米勒箝位、直通保护、故障报告、停机和过电流保护，适用于包括CoolSiC和IGBT在内的所有功率设备。