英飞凌infinfeon CoolSiC™ 中的新62mm封装产品组合帮助工程师实现更高的效率和功率密度

英飞凌infinfeon宣布，将采用新的行业标准封装扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列。经验证的62mm器件采用半桥拓扑结构设计，基于最近引入的先进M1H碳化硅（SiC）MOSFET技术。

该封装使SiC能够用于250千瓦的中功率应用，其中硅通过IGBT技术达到了功率密度的极限。与62mm IGBT模块相比，现在的应用列表还包括太阳能、服务器、储能、电动汽车充电器、牵引、商用感应烹饪和电力转换系统。

M1H技术实现了显著更宽的栅极电压窗口，即使在高开关频率下，也能确保对驱动器和栅极布局感应电压尖峰的高鲁棒性，而没有任何限制。除此之外，非常低的开关和传输损耗最大限度地降低了冷却要求。

这些器件与高反向电压相结合，满足了现代系统设计的另一个要求。通过使用英飞凌的CoolSiC芯片技术，可以提高转换器的设计效率，增加每个逆变器的额定功率，降低系统成本。

通过底板和螺纹连接，该封装具有非常坚固的机械设计，经过优化，可实现最高的系统可用性、最低的服务成本和停机损失。

卓越的可靠性是通过高的热循环能力和150°C的连续工作温度（T vjop）实现的。对称的内部封装设计为上部和下部开关提供了相同的开关条件。可选地，模块的热性能可以通过预涂热界面材料（TIM）进一步增强。

英飞凌infinfeon的62mm CoolSiC™ MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A的1200 V变体。2000 V产品组合将包括4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A变体。该产品组合将于2024年第一季度完成，分别为1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ。

评估板可用于模块的快速表征（双脉冲/连续操作）。为了便于使用，它提供了栅极电压和栅极电阻器的灵活调节。同时，它可以作为批量生产驱动板的参考设计。