英飞凌Infineon扩展600 V CoolMOS™ S7系列，带MOSFET，用于静态开关应用

英飞凌Infineon MOSFET低频切换的应用中，高功率产品设计必须满足以下几个关键特性：它们必须最小化传导损耗，提供最佳热行为，并启用更紧凑和更轻的系统——同时以低成本保持最高质量。为了满足这些要求，英飞凌Infineon正在增强600V冷却MOS™ S7系列，配有两个用于静态开关应用的新优化设备：工业级CoolMOS S7 10 mΩ和汽车级CoolMOS S7A。

对于600V超结MOSFET，CoolMOS S7 10 mΩ具有独特的低通电阻（R DS（on）），因此，它非常适合于最小导通损耗至关重要的应用，例如现成固态继电器（SSR）。相反，汽车级CoolMOS S7A解决了固态断路器（SSCB）和二极管并联/更换对汽车应用中的高功率/性能设计（如高压（HV）eFUSE、HV EDISCOnnet蓄电池断开开关以及车载充电器所设定的系统性能要求。

产品系列是通过优化著名的CoolMOS 7技术平台开发的。为了实现这一目标，该装置已被增强，用于静态开关和高电流应用。因此，新器件能以最高质量标准提供最佳性价比，更注重导电性能、能效、功率密度和提高热电阻。

英飞凌Infineon CoolMOS S7 10 mΩ和CoolMOS S7A芯片具有市场上最低的R DS（on）和最佳的R DS（on）x A x成本。此外，它们已集成到创新的顶部冷却（TSC）QDPAK SMD封装中，该封装提供了优异的热性能，使之成为to-247等THD设备的更小替代品。此外，随着从THD移动到带有QDPAK的表面安装设备，可以实现94%的高度降低，从而实现更高的功率密度解决方案。

具有低导损耗的colmos™ S7 10 mΩ和CoolMOS S7A，设计者可以将散热器的尺寸限制在80%以上，并在不改变形状因数的情况下扩展电流和电压额定值。