在短路情况下，mosfet不仅要承受电流的上升，而且还要承受关断时发生共轴的可能性。检测故障并断开电池或负载的MOSFET和电路称为eFuse。

由于在短路期间MOSFET需要快速关断，所以eFuse可能会发生倒锚。这反过来会导致短而高的电流脉冲流入电感，电感是由连接电池组和负载的电线以及负载本身产生的，寄生电感可以产生足够的电压，从而导致mosfet的共变。

这将把负载的电感变成电压发生器，使保护解决方案中的电压升高，超过最大允许电压。

英飞凌Infineon OptiMOS和StrongIRFET技术提供广泛的安全操作区域（SOA）和坚固的线性模式设备，以实现安全可靠的eFuse功能。

此外，英飞凌infineon器件具有低ΔVGS，Th，这使得器件能够在开关通断瞬态期间在并联mosfet之间共享相等的电流。