英飞凌infineon单独的充放电端口

在这种拓扑结构中，电池充电器和负载端口是分开的。这种拓扑通常在以下情况下使用：

1.充电电流和放电电流不同（充电电流通常远低于放电电流）。

2.充电时电池与负载分离。

优势：

1.由于路径电阻较低，所以热量较低。

2.需要更少的MOSFET。

缺点：

1.易于绕过反极性保护。

2.源到源的拓扑结构只能在高压侧使用，而漏极到漏极可以在低压侧使用。

英飞凌infineon电池负载涌流保护

浪涌电流在接通过程中产生，主要是当电池第一次连接到负载时。由于过电流或短路警报的错误指示，浪涌电流可能会达到足以使保护保险丝熔断或导致保护MOSFET关闭的程度。浪涌电流限制电路在启动阶段限制浪涌电流，保护电池和负载。当出现以下任一情况时，需要预充电电路：

1.负载具有较高的输入电容，会被励磁涌流损坏。

2.如果接通电流超过保险丝的极限，主保险丝将熔断。

3.接触器（如有）将被涌入电流损坏。

4.电池单元的额定值不适用于涌入电流。

5.MOSFET的额定值不适用于励磁涌流。

预充电电路通常由具有高电阻路径的MOSFET组成