碳化硅CoolSiC™ MOS管场效应管解决方案是迈向能源智能世界的下一个重要步骤。

基于音量体验和兼容性技术，英飞凌推出了革命性的CoolSiC™ 支持全新产品设计的MOSFET技术。与传统的硅基开关如IGBTs和MOSFET相比，碳化硅MOS管场效应管具有一系列优点。CoolSiC™ MOSFET首款产品在1200伏目标光伏逆变器、电池充电和储能方面。碳化硅冷却液™ MOS管场效应管代表了最好的性能，可靠性和易于使用的系统设计师。碳化硅（Silicon Carbide，SiC）为设计师提供了前所未有的效率和可靠性。

 

特点

增强新材料，为客户提供更高水平的性能

与传统的IGBTs、MOSFET等硅基高压开关相比，sicmosfet具有一系列优点。这些特性包括1200伏开关中的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值通态特性。

 

英飞凌独特的1200伏CoolSiC™ MOS管场效应管增加了额外的优势。最先进的沟道设计提供了卓越的栅氧化层可靠性，一流的开关和传导损耗，最高的跨导水平（增益），Vth=4v的阈值电压和短路稳健性。这是你可以依靠的革命。

 

所有这些都产生了一个健壮的碳化硅MOSFET，非常适合LLC和ZVS等硬开关和谐振开关拓扑，它可以像IGBT一样使用标准驱动器驱动。在基于硅的开关无法达到的开关频率下提供最高级别的效率，从而减少系统尺寸、增加功率密度和提高寿命可靠性。

 

优势

1.最高的冷却效率

2.更长的使用寿命和更高的可靠性

3.高频运行

4.降低系统成本

5.功率密度增加

6.降低系统复杂性

7.易于设计和实施

 

特征

1.低设备电容

2.与温度无关的开关损耗

3.具有低反向恢复电荷的本征二极管

4.无阈值状态特性

 

 

潜在应用

1.光伏逆变器

2.电池充电和形成

3.服务器和电信电源

4.伺服和电机驱动

5.储能和UPS

6.工业脱脂奶粉

 

产品线

CoolSiC™ 不同外壳的MOS管场效应管首件产品

TO-247-4pin封装包含一个额外的电源连接（开尔文连接），该连接用作栅极驱动电压的参考电势，从而消除电源电感上的电压降的影响。其结果甚至比TO247-3pin版本的开关损耗更低，特别是在更高的电流和更高的开关频率下。CoolSiC™  MOS管场效应管简易模块提供非常好的热接口、低杂散电感和稳健的设计以及压接连接。

 

损耗和输出特性