超小型TDI门极驱动芯片在低压电源转换系统中的应用

每次开关电源中的功率MOS管被打开或关闭时，寄生电感都会产生地面位移，这可能会导致栅极驱动器IC的错误触发。英飞凌将设备添加到其经济高效且紧凑的尺寸 EiceDRIVER™ 1EDN TDI（真正的差分输入）1通道门驱动器系列，以防止此类后果。

新设备1EDN7550U安装在一个超小型（1.5 mm x 1.1 mm x 0.39 mm）6针无引线TSNP封装中。与其他解决方案相比，英飞凌的TDI门驱动器集成电路以较低的系统成本实现高功率密度和高效率设计是关键。

与SOT-23系列产品相比，台山核电（1EDN7550U）的印刷电路板面积要小五倍。在应用级有一个3.3v的PWM输入信号，EiceDRIVER 1EDN TDI可以承受高达±70v的静态接地位移和高达±150v峰值的瞬态接地位移。

微小尺寸和地面移动鲁棒性的结合使得其中两个栅极驱动芯片能够在48v半桥配置下工作。同时，设计师可以自由地将这些栅极驱动芯片放在最适合的PCB布局中，这是实现行业领先功率密度的关键。

Flex Power Modules的首席技术官Mikael Appelberg说，Flex Power Modules等第一批客户欢迎新的TSNP产品包：“1EDN7550U驱动程序显著节省了板面积，再加上它的多功能性，使其成为非常有吸引力的一部分。”。

EiceDRIVER 1EDN7550U，采用无引线TSNP封装，支持25 V和40 V OptiMOS™ MOS管在开关电容拓扑中以1.2mhz的开关频率工作。在这种应用中，高功率密度3060w/In 3和97.1%的峰值效率（包括辅助损耗）被证明是可能的。