光伏装机容量在全球范围内迅速增长。光伏发电系统的总发电量约为600千兆瓦，现在可以提供清洁、经济的电力，取代约600座中型燃煤发电厂。

SMA和英飞凌支持这一增长趋势，推出了最新一代基于碳化硅（SiC）的创新型太阳能逆变器。这种新型半导体材料降低了逆变器的系统成本，提高了逆变器的效率。从而进一步降低了太阳能发电的生产成本。

SMA将推出“阳光大功率峰值3”，可灵活高效地规划分散式光伏发电厂，最大功率可达兆瓦。其基础是为1500伏直流电设计的紧凑型设计，每台机组输出150千瓦。

这是通过英飞凌的碳化硅技术实现的：6个CoolSiC类型的电源模块占地面积伊斯皮克占地面积2B和36EiceDRIVER的门驱动器占地面积系列1ED20将太阳能电池产生的直流电转换成与电网兼容的交流电，效率超过99%。

碳化硅为整个系统提供了优势
 

有碳化硅使能够制造出紧凑、强大、可靠的逆变器，In the Sunny Highpower PEAK3，CoolSiC模块的比输出几乎翻了一番，从0.97千瓦/千克增加到1.76千瓦/千克。由于紧凑的设计，逆变器更容易运输，安装速度更快，

因此，分散式工厂布局的优势可以与中央逆变器的优势相结合。即使在光伏发电厂投产后，扩建也很容易。

英飞凌基于碳化硅的功率半导体比硅解决方案更贵，但由于材料的电学特性，这在系统级是远远超过偏移的。更高的开关速度和效率允许变压器、电容器、散热器和最终的封装更小，从而节省系统成本。

英飞凌与欧洲光伏逆变器市场的领先者SMA一起合作优势，创新碳化硅产品支持批量生产，

不仅光伏系统从这些优势中获利。英飞凌对基于碳化硅的解决方案的需求也在其他工业部门和应用领域不断增长，例如电动汽车的不间断电源和充电基础设施。

定制模块的快速开发

英飞凌为SMA开发了一个客户特定的解决方案，其中包括一个经典的沟渠顶部占地面积IGBT和CoolSiC占地面积带有体二极管的MOSFET。ANPC（有源中性点箝位）拓扑允许使用为1200 V设计的开关切换最大1500 V的系统电压。

因此，该拓扑使用了SiC的优点，尽管EasyPACK模块中只有一些开关基于此。总的来说，碳化硅的使用降低了逆变器的复杂性。这不仅提高了效率，而且使系统更易于维护，延长了使用寿命。

作为全球功率半导体市场的领导者，英飞凌为工业应用提供了最大的SiC简易模块组合。由于其多年的专业知识，各种芯片技术和现有的生产能力，该平台可以适应客户的要求，并在短时间内实现系列化生产。由于对碳化硅离散体和模块的需求强劲增长，英飞凌继续在其自己的生产基地投资扩大碳化硅产能。