MOS场效应管：低导通损耗 但取决于，器件的漏源导通电阻 RDS(ON) 与导通状态电压。 Si MOS场效应管承载的电流小于IGBT IGBT 用于：大功率。 MOSFET用于： 重视高效率的高频应用。 SiC MOS场效应管 与 Si MOSFET 相似 SiC是一种 WBG材料，其特性允许这些器件在与 IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。 这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。

Si MOS MOS场效应管和IGBT已在电源转换器中使用了很久。 SiC MOSFET：已成为一项新技术，鉴于其固有的材料特性（宽带隙 (WBG) 材料） 优势：已超过这些器件。

SiC MOS场效应管：功率因数校正电源、光伏逆变器、 EV/HEV 的直流/直流、 EV 的牵引逆变器、电机驱动器和铁路。 IGBT：电机驱动器或交流电机，不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式，串式光伏逆变器，牵引逆变器 EV/HEV 。

不同：晶体管作为开关操作，晶体管需要完全“关”（截止）或完全“开”（饱和）。 理想状态 晶体管开关在“完全关闭”时，集电极和发射极之间的电路电阻为无穷大，导致流过它的电流为零， 在“完全打开”时，集电极和发射体之间的电阻为零，导致电流最大。

MOS场效应管的源极s端子直接连接到地或供电轨，而漏极开路D端子连接到外部负载。当驱动功率负载或连接到更高电压源的负载时，使用MOS场效应管或IGBT作为开漏（OD）器件遵循与开集电极输出OC相同的要求，因为应用了上拉或下拉电阻器。唯一的区别是MOSFET通道的热功率额定值和静态电压保护。

在eMOS场效应管两端连接固定的VDS漏极-源极电压的情况下，可绘制漏极电流ID的值与VGS的变化值，以获得MOS场效应管正向直流特性的曲线图，这些特性给出了晶体管的跨导gm。

P通道源极端子连接到+Vdd，漏极端子通过继电器线圈连接到地。当高电压电平施加到栅极时，P沟道MOS场效应管将被“关闭”。 关闭的E-MOS场效应管将具有非常高的沟道电阻，其作用几乎像开路。

开路集电极开关电路的典型布置，其可用于驱动机电型器件以及许多其他开关应用。NPN晶体管基极驱动电路可以是任何合适的模拟或数字电路。晶体管的集电极连接到要切换的负载，晶体管的发射极端子直接连接到地。

MOS场效应管是非常不错的电子开关，可用于控制负载和CMOS数字电路 原因：它工作在截止区和饱和区之间。 N沟道增强型MOSFET即e-MOS场效应管 工作用正输入电压，具有极高的输入电阻，几乎无限大 当与几乎任何能够产生正输出的逻辑门或驱动器接口时，可以将MOSFET用作开关。

双极结晶体管和场效应管区别 双极结晶体管的端子标记为集电极、发射极和基极 MOS场效应管的端子分别标记为漏极、源极和栅极。 MOS场效应管与双极结晶体管区别 MOS场效应管：栅极和沟道间没有直接连接 双极结晶体管：基极-发射极结