英飞凌MOS管场效应管BSC040N08NS5特征概要 1.针对同步整流进行优化 2.适用于高开关频率 3.输出电容降低高达44% 4.研发（开）减少高达44% 英飞凌MOS管场效应管BSC040N08NS5优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.需要较少的并联  4.功率密度增加 5.低压超调

MIC4424集成电路IC微芯片特征： 1.可靠的低功耗双极/CMOS/DMOS结构 2.闩锁保护至>500毫安反向电流 3.逻辑输入能承受-5V的摆动 4.高3A峰值输出电流 5.宽4.5V至18V工作范围 6.25ns内驱动1800pF电容7.可靠的低功耗双极/CMOS/DMOS结构 8.闩锁保护至>500毫安反向电流 9.逻辑输入能承受-5V的摆动 10.高3A峰值输出电流 11.宽4.5V至18V工作范围 12.25ns内驱动1800pF电容 13.短<40ns典型延迟时间 14.与电源电压变化一致的延迟时间 15.对应的上升和下降时间 16.独立于电源电压的TTL逻辑输入 17.低等效6pF输入电

英飞凌infineon在其1200 V TRENCHSTOP上增加了新的电流等级™ IGBT7模块。这就完成了Easy 1B和2B产品组合，它现在提供的电源解决方案在PIM中高达11kw，在六组拓扑中高达22kw，采用了最新的芯片技术。 工程师可以选择：要么通过用IGBT7技术替换IGBT4来增加Easy 2B模块的功率，要么通过在特定情况下用Easy 1B IGBT7替换Easy 2B IGBT4来减少相同功率的占地面积。

TO-220AB封装100V单N沟道HEXFET功率MOSFET 英飞凌场效应管MOS管IRFB4110PBF应用 1.开关电源中的高效同步整流 2.不间断电源 3.高速电源切换 4.硬开关和高频电路 英飞凌场效应管MOS管IRFB4110PBF优势 1.改进的栅极、雪崩和动态dv/dt 2.坚固性 3.充分表征电容和雪崩 4.SOA 5.增强体二极管dV/dt和dI/dt能力 6.无铅 7.符合RoHS，无卤素

英飞凌MOS管场效应管IRF100B201应用 1.刷电机驱动应用 2.无刷直流电机驱动应用 3.电池供电电路 4.半桥和全桥拓扑 5.同步整流器应用 6.共振模式电源 7.或ing和冗余电源开关 8.DC/DC和AC/DC转换器 9.直流/交流逆变器 英飞凌MOS管场效应管IRF100B201优势 1.改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性 2.完全特征化的电容和雪崩SOA 3.增强体二极管dV/dt和dI/dt能力 4.无铅、符合RoHS、无卤素

MOS管场效应管与三极管作为开关应用： 1.考虑成本(价格)：MOS管场效应管 （贵）> 三极管  2.驱动能力（应用）： MOS管场效应管应用：电源开关，高频高速电路，大电流开关电路，基极或漏极控制电流比较敏感处； 三极管应用：数字电路开关控制； 3.功耗：MOS管场效应管 < 三极管 (损耗大) 4.功能性质：MOS管场效应管电压控制，三极管电流控制；

结合高能效和易用性的优化超结MOS管 600V CoolMOS™ P7超结MOS管是600V CoolMOS的后继产品™ P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。最佳的R onxA和CoolMOS固有的低栅电荷（Q G）™ 第七代平台保证了其高效率。 英飞凌MOS管场效应管IPW60R060P7功能特征概要 效率 •600V P7支持出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G 英飞凌MOS管场效应管IPW60R060P7易用性 1.静电放电强度≥2kV（HBM 2级） 2.集成栅极电阻器 3.坚固的体二极管 4.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合 5.提供标准级和工业级零件

英飞凌MOS管场效应管IPT015N10N5功能特征概要 1.针对同步整流进行优化 2.适用于高开关频率 3.输出电容降低高达44% 4.研发投入比上一代产品减少43% 英飞凌MOS管场效应管IPT015N10N5优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.需要较少的并联 4.功率密度增加 5.低压超调

电源IC直接驱动MOS管场效应管 图1 注意事项： 1.注意电源IC手册中的最大驱动峰值电流 2.在选择驱动电阻阻值时，必须关注MOS管场效应管寄生电容大小，MOS管场效应管导通时，电源IC的驱动峰值电流及MOS管场效应管导通速度，驱动能力,上升沿高频振荡,MOS管场效应管开关速度等 电源IC驱动能力不足时 电源IC内部驱动能不足时，但 MOS管寄生电容较大，这时就要增加驱动能力： 常用方法：图腾柱电路，如下图虚框。

如何选择MOS管场效应管驱动电路呢？ 有以下几点： 1.驱动电路的结构必须简损耗小及约可靠 2.视情况施加隔离。 3.开关导通期间，驱动电路必须保证MOS管场效应管栅极与源极之间电压保持稳定且可靠导通。 4.关断瞬间驱动电路时，为了能让开关管快速关断，要提供一个低阻抗通路供MOS管场效应管栅极与源极之间的电容电压快速泄放。 5.开关管开通时的瞬间，驱动电路必须提供足够大充电电流使MOS管场效应管栅极与源极之间的电压迅速上升到所需值，来保证开关管能快速，同时开通时不能有上升沿的高频振荡。