此2种电路，MOS场效应管 是池电压为正时导通，电池电压反转时则断开连接。MOSFET 的物理“漏极”变成了电源，它在 PMOS 版本中是较高的电位，而在 NMOS 版本中则是较低的电位。 因MOS场效应管在三极管区域中是电对称，它们在两个方向上即可传导电流，晶体管必须具有高于电池电压的最大 VGS 和 VDS 额定值。

达林顿晶体管IC芯片是ULN2003阵列。达林顿阵列家族由ULN2002A、ULN2003A和ULN2004A组成，它们都是高电压、高电流达林顿阵列，每个阵列在单个IC封装内包含七个开集电极达林顿对。

变电压电源电路，通过将电流表和电压表连接到输出终端，可以稍微改进基本电压调节电路。 这些仪器将提供变电压调节器的电流和电压输出的视觉指示。 如果需要的话,还可以在设计中加入快速引信,以提供额外的短路保护。

交流开关损耗 MOS场效应管开关损耗 真实的晶体管需要时间来导通或关断。 产生损耗的原因：在导通和关断瞬变过程中存在电压和电流重叠，从而产生交流开关损耗。

如下图所示，功率级PCB设计中，器件引线和优化布局，引起寄生电感和电容，会导致电压振铃，致MOS场效应管电压应力。 功率级半桥中的寄生电感和电容，振铃 原因：二极管反向恢复 因快速开关，引起高电流变化率，导致高二极管反向恢复电流，它流经寄生布局电感。

两个N沟道MOS场效应管背对背连接，阻断电路中两个方向电流的电路 必须选择合适的集成电路，即用于MOSFET的驱动器，或是包含MOSFET和驱动器的封装。 通常需要使用负载开关，可选的范围并不大。 在很多情况下，可使用热插拔控制器、电子保险丝、浪涌保护器、理想二极管和电源路径控制器，具体取决于应用和所需的额外监控功能。

电池充电系统 关键：充电器本身+电量计 电量计：告电池指标 如：电池的充电状态SOC、剩余电量使用时间和电池充满所需时间。 电量计可以集成在主机端，或者集成在电池包中。集成在电池包中，电量计需要使用非易失性存储器来存储电池信息。 电源路径中的MOS场效应管监测充电/放电电流，保护电池免于遭受危险。

电源模块体积小，在EMC要求比较高的场合，需要增加额外的浪涌防护电路，以提升系统EMC性能。如上图所示，提高输入级的浪涌防护能力，在外围增加了压敏电阻和TVS管。a与b目的：实现两级防护 但，可能适得其反。

因快速充电期间的电流很高，OEM必须要确保安全充电。因此，作为整个电池管理的一部分，智能快速充电器必须能够监测多个重要参数。在根据电池制造商规格和建议监测电池温度和环境/室温的情况下，快速充电器可以确定何时降低充电电流和/或降低端电极电压，以确保电池安全，延长电池的使用寿命。

电池供电和隔离电子设备的出色之处在于：它可以在任何位置设置接地。在最方便的电路拓扑结构中，可在不丧失通用性的情况下检测电流，同时将终端放置在与本地接地相关的任何位置。 单极电流，如4 mA至20 mA的工业环路，可以用传统的低侧拓扑结构来安全检测与本地接地相关的电流。