接口：CMOS场效应管发光二极管LED及晶体三极管VT的电路图,发光二极管特性 1.低功耗 2.寿命长 3.可靠性高 4.应用与CMOS集成电路配合是最佳终端显示器件； CMOS场效应管集成电路可直接驱动高发光效率LED VDD=10~18V   LED亮度足够 VDD=10V  输出短路电流=20mA，则导致LED或CMOS集成电路损坏 CMOS集成电路驱动LED时必须串入限流电阻，即限流保护；

脉冲漏极电流即IDM MOS场效应管工作在饱和区，即放大区恒流状态； 若：MOS场效应管稳态工作在可变电阻区，对应VGS放大恒流状态漏极电流 > 系统最大电流; 导通过程，MOS场效应管经Miller平台区，Miller平台区VGS电压对应系统的大电流，全部清除Miller电容电荷，VGS电压增大→可变电阻区→VGS稳定在最大栅极驱动电压；

CMOS场效应管随机振荡器电路工作原理，单位增益缓冲器组成：M1～M5+M7+M8+R1 振荡器充电电流基I1=Vo/R1 R1=可调节电阻 调节R1即对充电电流基I1调整 电压比较器组成：M10～M18 用M18与M19电流镜产生单端输出Vout。 M25产生镜像电流I2并对时间常数电容C充电。 随机电流充电电路 随机控制信号V1～V4，随机打开M27～M30管，镜像作用，电容C充电电流变大，电容C充电速度加快，即振荡器频率改变。 电路M21～M24管宽长比比值设计为8：4：2：1 振荡器振荡频率可完全覆盖某一频率范围，保证振荡器在某一频率范围内连续随机变化。 电容C上电压Ve < Vmt电压，比较器输出=0 Ve>Vmt时  比较器输出电压升高，直到比较器输出电压高于整形电路(施密特触发器)

增强型N沟道FET采用共源极结构，电势：门极与源相同，漏源极间沟道电阻高，被认为关断，场效应管要正门极到源电压，导通沟道在漏源极间传导； 未完全饱和，场效应管沟道电阻变化大，致模拟信号出现问题，要在整个信号幅度范围失真低，用增强型场效应管模拟开关失去电源，并且状态不确定，传导不会很好，隔离信号也并不好；低沟道电阻，沟道被认为导通，被认为无电源，耗尽型是传导，因设计原因，线性沟道电阻，整个信号幅度范围失真低；

MOS场效应管驱动器设计时特别要关注，峰值驱动电流及开关时间的要求； 应用要求MOS场效应管开关速度决定元件的驱动器 应用中最理想上升或下降时间受以下因素影响： 开关损耗+电磁干扰EMI+引线/电路感应系数+开关频率 栅极电容+转变时间与 MOS场效应管驱动器额定电流关系表达式 如下所示 dT=[dV×C]/I dT=开/关时间 dV=栅极电压 C=栅极电容 I=MOS场效应管峰值驱动电流

沟道静电势分布涨落 原因是场效应管沟道热噪声电压涨落； 沟道成为MOS场效应管电容一块平板，电荷涨落是由栅电容间电压涨落引起， Shoji建立栅隧穿效应MOS场效应管模型，MOS沟道用途动态分布式RC传输线； 元件沟道位置x处跨越△x电压涨落驱动两处传输线： 1.x=x展伸至x=L 2.从x=0展伸至x=x

什么是MOS场效应管输出特性 输出特性即漏极伏安特性：饱和区+非饱和区+截止区 电力MOS场效应管漏源极间有寄生二极管，加反向电压，即导通； 电力 MOS场效应管通态电阻：有正温度系数，若元件并联，有益均流。 电力MOS场效应管工作在开关状态时，截止区和非饱和区间相互调换。导通： 开通时间ton=导通延迟时间+上升时间 上升时间tr = UGS从UT上升→MOS场效应管进入非饱和区栅压UGSP期间； 下降时间tf：UGS从UGSP继续下降起，iD减小→UGS 关断时间toff：关断延迟时间+下降时间 iD稳态值：与漏极负载电阻+漏极电源电压UE相关 UGSP值：由iD稳态值关联， UGS =UGSP，up影响下，上升→稳态，iD值不变；

超级结MOS场效应管关断瞬态此段时间，出现PFC振荡波形，振荡电路包括内部和外部振荡电路都会影响超级结MOS场效应管开关性能；MOS场效应管开关速度更快，因寄生电感LD，在关断时，漏源振荡电压→栅漏电容Cgd→形成栅电感Lg1+LG谐振电路； 谐振电路组成：内部+外部栅漏电容Cgd_int.+Cgd_ext.+栅电感Lg1+LG MOS场效应管导通与关断，在谐振电路产生栅极寄生振荡；

CMOS场效应管-HTL HTL集成电路 1.标准工业集成电路 2.抗干扰性能高 CMOS场效应管集成电路工作电压非常宽 与HTL集成电路+15V电源可以共用 与HTL集成电路间相到满足VOH+VOL+IIH=IIL，可直接相边；，CMOS场效应管-TTL集成电路接口 TTL集成电路 TTL低电平输入电流=1.6mA CMOS场效应管低电平输出电流=1.5mA 因此它们需要如：单电源的接口电路

高端MOS场效应管硅芯片驱动优势 1.封装高性能紧凑 2.单颗芯片集成驱动高端MOS场效应管+几个外部元件，开关速度即可提高，闩锁关闭功能， 很低的延迟在输入指令与门驱动输出间，低功率耗散； 高端MOS场效应管硅芯片驱动缺点 1.硅芯片内电压高600 V 2.高压隔离，要加脉冲触发器+同步整流触发器+电平转换器； 3.匹配传播延迟（高端驱动与低端驱动间） 4.不可用不平衡变压器 5.要自举供电 6.抗干扰能力要求非常之高 7.负电压：会引起驱动IC内部产生负电流，会增大每个脉冲宽度，直到硅驱动器失效，导致驱动器损坏（不在宽温度内）