MOS场效应管驱动器设计时特别要关注，峰值驱动电流及开关时间的要求； 应用要求MOS场效应管开关速度决定元件的驱动器 应用中最理想上升或下降时间受以下因素影响： 开关损耗+电磁干扰EMI+引线/电路感应系数+开关频率 栅极电容+转变时间与 MOS场效应管驱动器额定电流关系表达式 如下所示 dT=[dV×C]/I dT=开/关时间 dV=栅极电压 C=栅极电容 I=MOS场效应管峰值驱动电流

沟道静电势分布涨落 原因是场效应管沟道热噪声电压涨落； 沟道成为MOS场效应管电容一块平板，电荷涨落是由栅电容间电压涨落引起， Shoji建立栅隧穿效应MOS场效应管模型，MOS沟道用途动态分布式RC传输线； 元件沟道位置x处跨越△x电压涨落驱动两处传输线： 1.x=x展伸至x=L 2.从x=0展伸至x=x

什么是MOS场效应管输出特性 输出特性即漏极伏安特性：饱和区+非饱和区+截止区 电力MOS场效应管漏源极间有寄生二极管，加反向电压，即导通； 电力 MOS场效应管通态电阻：有正温度系数，若元件并联，有益均流。 电力MOS场效应管工作在开关状态时，截止区和非饱和区间相互调换。导通： 开通时间ton=导通延迟时间+上升时间 上升时间tr = UGS从UT上升→MOS场效应管进入非饱和区栅压UGSP期间； 下降时间tf：UGS从UGSP继续下降起，iD减小→UGS 关断时间toff：关断延迟时间+下降时间 iD稳态值：与漏极负载电阻+漏极电源电压UE相关 UGSP值：由iD稳态值关联， UGS =UGSP，up影响下，上升→稳态，iD值不变；

超级结MOS场效应管关断瞬态此段时间，出现PFC振荡波形，振荡电路包括内部和外部振荡电路都会影响超级结MOS场效应管开关性能；MOS场效应管开关速度更快，因寄生电感LD，在关断时，漏源振荡电压→栅漏电容Cgd→形成栅电感Lg1+LG谐振电路； 谐振电路组成：内部+外部栅漏电容Cgd_int.+Cgd_ext.+栅电感Lg1+LG MOS场效应管导通与关断，在谐振电路产生栅极寄生振荡；

CMOS场效应管-HTL HTL集成电路 1.标准工业集成电路 2.抗干扰性能高 CMOS场效应管集成电路工作电压非常宽 与HTL集成电路+15V电源可以共用 与HTL集成电路间相到满足VOH+VOL+IIH=IIL，可直接相边；，CMOS场效应管-TTL集成电路接口 TTL集成电路 TTL低电平输入电流=1.6mA CMOS场效应管低电平输出电流=1.5mA 因此它们需要如：单电源的接口电路

高端MOS场效应管硅芯片驱动优势 1.封装高性能紧凑 2.单颗芯片集成驱动高端MOS场效应管+几个外部元件，开关速度即可提高，闩锁关闭功能， 很低的延迟在输入指令与门驱动输出间，低功率耗散； 高端MOS场效应管硅芯片驱动缺点 1.硅芯片内电压高600 V 2.高压隔离，要加脉冲触发器+同步整流触发器+电平转换器； 3.匹配传播延迟（高端驱动与低端驱动间） 4.不可用不平衡变压器 5.要自举供电 6.抗干扰能力要求非常之高 7.负电压：会引起驱动IC内部产生负电流，会增大每个脉冲宽度，直到硅驱动器失效，导致驱动器损坏（不在宽温度内）

设计元器件或在选型中，MOS场效应管工作过程损耗，是要在设计之前要预先计算或是预估，但在没有具体元件测试下，只能参考元件的说明书中的参数及预先设计好的电路图，来估算其值，此值只能是理论上的数值，实际的损耗则应该按元件实物测试所获得的数值； 在MOS场效应管工作过程总损耗表达式如下 PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover 第一部就是导通损耗Pon的值 什么是导通损耗Pon 它是在MOS场效应管完全开启，漏源电流或是说负载电流 IDS(on)(t)在 RDS(on)上产生压降时的损耗； RDS(on)=导通电阻 计算导通损耗时，我们先计算漏源电流或是说负载电流 IDS(on)(t)公式，其中获得IDS(on)rms 值 ，它的时间是导通时间 Ton，与工作周期 Ts无关；

低温漂CMOS隙基准源中的电源抑制比及启动电路 电源抑制比即PSRR 它是电路对电源电压频率变化抑制能力 即是KPSR=从运放输入→输出开环增益/电源→运放输出增益 输出电压+Vdd都影响不了带隙基准，如：工作频率提升，因电容耦合，输出电压高频时会因Vdd波动影响它的稳定性。 要提高输出电压电源抑制特性，则电路用自偏压cascode结构电流镜，输出端接一对地滤波电容；

MOS场效应管电路的输入端保护二极管，导通电流容限=1mA 若：瞬态输入电流 >10mA，即需要串联输入保护电阻； 解决方案 可选择的MOS场效应管内部有保护电阻； 保护电路失效，因保护电路吸收瞬间能量有限，过大瞬间信号+高静电电压时，因此焊接电烙铁要可靠接地，避免漏电击穿MOS场效应管输入端； 解决方案 断电，电烙铁余热焊接，先焊接地管脚；

BIMOS场效应管是什么传统结构：DMOS在一层薄且低阻抗的硅衬底上生成一个硅外延层； 若：电压>1200V，承受阻断电压N-硅层倾于无外延层如b图，即均匀基区结构NPT 如b图，有IGBT的pnpn，此为引入一个N+集电极-短路模式，作用：让PNP晶体管电流增益减小，关断性能获得提升； 此时，在发射极和集电极间有自由寄生二极管，即BIMOS场效应管中BI，集电极控制BIMOS场效应管关断； 二极管反向导通要得到优化，避免换向产生时有dv/dt，辐照降低少数载流子寿命；