PMOS场效应管的D接低电平，S接高电平； PMOS场效应管G极=低电平，DS导通，高电平断开，即可用于控制与电源间的通断； NMOS场效应管D接高电平，S接低电平； NMOS场效应管管G极=高电，DS导通，低电平断开，即用于控制与地间的通断；MOS场效应管应用于非门，并实现非门。PMOS场效应管D极+MOS场效应管D极相连接，对应的G极也相接，即非门电路； 移家虽带郭，野径入桑麻。近种篱边菊，秋来未著花。扣门无犬吠，欲去问西家。 报道山中去，归时每日斜。 A点=低电平，PMOS 场效应管导通，NMOS 场效应管截止，输出端Y=高电平； A点=高电平，N导通，P截止，输出端Y=低电平。

电源开关电路应用于功能模块电路电源通断控制中，在电路中比较常见。 如下图所示电源开关电路，即用MOS场效应管实现带软开启功能电路。1个MOS场效应管符号=1个完整MOS场效应管电源开关电路 设计时，加C1电容1个+R2电阻1个即可实现软开启功能。软开启：即电源缓慢开启，限制电源启动时的浪涌电流。 若：无软开启电源电压上升会较陡峭。

MOS场效应管电学特性 1.MOS场效应管三层结构：金属层+绝缘层+半导体基板，金属层用多晶硅代替金属作为栅极材料，绝缘层二氧化硅。 2.MOS场效应管对称，施加电压即可确定栅极+源极+漏极，NFS时，导电通过电子，电子源”定义为源能级，低压侧源极，高压侧漏极。 3.在沟道中电荷量分布不均匀，离源极近的有高电荷量，离漏极近低电荷量。 4.栅极电压 > 源极电压V_TH，沟道中积累电荷足够，若源极和漏极间有电压差，电荷即流动，在电压驱动下形成电流。

英飞凌 Infineon推出业界最高密度QML-V认证QDR-II+SRAM，简化系统卫星图像处理 英飞凌 Infineon 今天宣布推出下一代144 Mb四数据速率II+（QDR）®-II+）SRAM，通过DLA合格制造商列表V级（QML-V）认证。QML-V是航空航天级集成电路的最高质量和可靠性标准认证。这种抗辐射（rad-hard）144mbqdr-II+SRAM是一种独特的高速外部高速缓存，非常适合雷达、机载数据处理和空间网络应用。

体效应 MOS场效应管衬底与源极相连即VBS=0，但源极与衬底的电位不相同。 NMOS场效应管：衬底接电路最低电位GND ，VBS<0 PMOS场效应管：衬底接电路最高电位VDD，VBS>0 MOS场效应管阈值电压，随源极与衬底间电位不同而发生变化，即体效应，也叫背栅效应。 从MOS管工作原理得，随VGS上升，衬底内部电子向衬底表面运动，并在衬底表面产生了耗尽层。 VGS上升=一定电压（阈值电压） 栅极下衬底表面发生反型，NMOS场效应管在源漏间开始导电。 阈值电压值：与耗尽层电荷量有关 耗尽层电荷量越多，阈值电压越高，NMOS管开启越难。

MOS场效应管电容在Layout中 在Layout中，会在一些空地方加上接电源地的MOS电容，需注意电源电压。 电源电压=3.3V  不可用1.8VMOS场效应管电容 因：防止电压击穿MOS场效应管氧化层，要用氧化层厚点的3.3V的MOS。 电源电压=1.8V  用3.3V MOS场效应管电容或1.8V MOS场效应管电容。 从容值看：面积相同，容值大，3.3V的MOS的氧化层比1.8V的MOS氧化层厚，因此 容值相对1.8V MOS小了，应选1.8V MOS电容。 1.0V电压域，即选MOS场效应管做电容。 原因：普通MOS管，阈值电压VTH大，1.0V电压即可进入亚阈值区，容值处于C-V特性曲线的凹陷区域，电容值小，即可选阈值电压VTH≈0  native MOS场效应管。

DS震荡厉害，此时要解决方案如下： 1.续流二极管：检查规格书是否合适，找不同品牌参数相近测试，波形是否改善。 2.Mos场效应管：找不同品牌替换，看波形变化。 3.驱动波形：驱动电阻大小改变，看是否改善。 4.以上方案都无改善，PCB布线是否有问题或割线查看。 6.或加RC钳位电路：但损坏加大，MOS场效应管温度可能会升高。

超薄MOS场效应管驱动器VOL3120，封装SMD，高度=2.5mm 最小间隙和外部爬电距离为8mm。 特点 尺寸小 高隔离电压VIORM=1050V  VIOTM=8000V 具最佳的电气性能 过压锁定功能可保护MOS场效应管， 对共模瞬态的抑制能力超过48kV/μs，能消除来自PCB上低压区域的噪声。 工作损耗电流：最大2.5mA 典型延迟<250ns 典型上升和下降时间=100ns 潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020 1级，仓储寿命不限 驱动器可在15V～32V电源电压和-40℃～+100℃的工业温度下工作。 应用于： 1.高工作电压+污染程度更严重条件，电机驱动+可替代能源+焊接设备。 2.MOS场效应管快速开关

辅助电源一般电路，输入电压MOS场效应管最高耐压要1300V，为安全需余量一定电压，额定电压要有1500V，也可用绝缘击穿电压Si MOS场效应管，但是损耗大+要散热器成本增加；，用复杂拓扑结构，如双端反激式转换器方式+低电压器件串联等，设计难度+元件数量都增加。 用特定导通电阻1500V Si-MOS场效应管1/2的1700V SiC-MOS场效应管，辅助电源用简单单端反激式转换器拓扑

SiC-MOS场效应管开关波形，通过不同输出负载波形，可提在接通SiC-MOS场效应管时谐振漏源电压变化。 用准谐振工作，最大限度地降低开关损耗和EMI. 轻负载Pout = 5W，突发工作模式结束，转准谐振工作模式 控制频率：是通过跳过很多波谷; 输出负载増加Pout = 20W，波谷数量减少，频率上升 接近最大输出负载，Pout = 40W，只有一个波谷，开关频率最大值120kHz 延长一次侧开关导通时间，可微调低开关频率并提高输出功率。 一次侧电流峰值增加，传输能量也增加Pout = 40W。 超过最大输出功率，过电流保护功能工作并阻止开关动作，避免系统过热。 首先，评估板因有两个工作点而以电流不连续模式（DCM）工作。然后，在最后一个工作点（40W）时正好达到电流临界模式（BCM）。根据不同的输入电压，DCM和BCM在不同的输出功率进行切换。