MOS场效应管本身发热，我们可测量一下电路中其它元件引脚电压，示波器测量电压波形，测出开关电源工作状态，还有其它一些电路中细节是否都正常，如：变压器原边+次级以及输出反馈+PWM控制器输出端+脉冲幅度和占空比。 当然，在测量电路其它部份元件找问，但我们可以根据我们以往的经验选择测量一下，MOS场效应管它本身是否存在问题，如： 过漏极和源极Id电流太高+驱动频率过高+G极驱动电压不够

VDMOS场效应管是电压控制电子元器件 原理：栅极加一定电压，元件沟道表面反型，形成连接源区和漏区的导电沟道。VGS=栅源电压 阈值电压=VTH VDS=漏源电压 VGS > VTH，栅极下方P型区形成强反型层（电子沟道），因VDS作用，N+源区电子通过反型层沟道，经过N-漂移区外延层运动至衬底漏极，形成漏源电流。 VGS < VTH，栅极下方无法形成反型层沟道，N-漂移区外延层浓度较低，耗尽层在N-漂移区一侧扩展，可维持高击穿电压。 VDMOS场效应管栅电极结构 VDMOS场效应管组成：多小元胞单元并联

马达控制电路是一种半桥式控制电路 组成：MOS场效应管2个 或是全桥式组成：MOS场效应管4个 器件在关断时间或者说在死区时间相等， 此应用，最重要的因素是反向恢复时间trr 控制电感式负载，控制电路把桥式电路中MOS场效应管切换到关断状态，桥式电路另一个开关经MOS场效应管体二极管临时反向传导电流，因此重新循环电流，供电给马达。

USB Type C移动设备附件里有耗尽型MOS场效应管模拟开关可省电 单通道SPST耗尽型MOS场效应管模拟开关提供能力完成USB Type C检测，并隔离Ra电阻器接地路径，如：FSA515与Ra电阻器串联完成； USB Type C将移动设备连接到受电附件应用，附件过VCONN连接并通电， 附件中电流流过接地Ra电阻，如下图所示 Type-C附件在检测后有电流流过Ra电阻

开关MOS场效应管电阻损耗计算表达式 不同负载系数和 RDS(ON) HOT ：PDRESISTIVE=[ILOAD2×RDS(ON) HOT]×(VOUT/VIN) 因它依赖难以定量+不在规格参数范围对开关产生影响，计算开关MOS场效应管损耗有些难，只能计算大概值评估器件，然后在实验室进行验证 PDSWITCHING=(CRSS×VIN2×fSW×ILOAD)/IGATE CRSS=MOS场效应管反向转换电容 fSW=开关频率 IGATE=器件启动阈值处MOS场效应管栅极驱动吸收电流的源极电流

电池充放电保护电路中，过电流或负载短线，电路关断MOS场效应管，避免电池放电。 但MOS场效应管关断速度非常缓慢， 看VGS波形，米勒平台时间=5ms，期间，MOS场效应管工作在放大状态，即线性区。MOS场效应管开始工作在线性区，它是负温度系数，局部单元区域发生过流，产生局部热点，温度高，电流大，温度再增加，过热损坏。 破位位置离G极远，损坏发生关断过程，破位位置在中间区域，散热条件最差区域。 器件内部，局部性能弱单元，封装形式和工艺对破位位置产生影响。

电压失效形态：硅片中间某位置产生击穿洞，即热点； 原因：过压产生雪崩击穿，过压MOS场效应管内部寄生三极管导通， 因三极管有负温度系数特性 局部流过三极管电流大，温度高， 温度高，流过电流大，致器件内部形成局部热点损坏； 硅片中间区域散热条件最差，也易产生热点。损坏位置在S极，靠近G极 原因：电容能量放电形成大电流，全流过MOS场效应管，即全部电流汇集在S极，温度最高，易损坏；

突然断开电源与其负载，流过电路寄生电感元件大电流摆动产生巨大尖峰电压，会损坏元件， 因此，用MOS场效应管来隔开输入电源与其他电路，以减轻具有破坏力浪涌电流带来的损失，通过控制器调节输入电压+输出电压间MOS场效应管栅源偏压，让其在饱和状态，防止电流通过。

CMOS场效应管求和比较器电路结构 如下图所示 求和比较器结构是折叠式； 组成从M 1-M 6组成3对差分对； 电流和比较实现3组电压和的比较； M 1+ M 3 +M 5形成电流：m 16-m 17折叠→输出缓冲电流镜m 15漏端； M 2+ M 4+M 6 形成电流：m 18-m 19折叠→输出缓冲电流镜m 14漏端→ MOS场效应管m9得信号R。 信号R=脉冲宽度调制信号

MOS场效应管连续漏极电流符号ID，它是一个计片值，封装一定+芯片大小一定，如：底部有裸露铜皮封装DPAK，TO220，D2PAK，DFN5*6，元件结到裸露铜皮热阻RθJC值确定。 硅片最大工作结温TJ，裸露铜皮温度TC，常温25℃ 得元件允许最大功耗PD，RDS(ON)_TJ(max) 最大工作结温TJ的导通电阻 硅片允许最大工作结温=150℃ 电流基于最大结温计算值