在使用双极型晶体管作为输出级和直接驱动的另一个需要做的事情是为双极型晶体管的输出提供适当的保护，这主要是针对反向电流的。,集成电路的输出级是使用npn晶体管，这是由于他们的高效区和比较好的性能。 图中的每个npn晶体管只能控制一个电流方向。上面那个可以控制拉电流但不能控制灌电流，下面那个恰好相反。 在MOS场效应管的导通和截止时源极电感和MOS场效应管的输入电容之间不可避免的波动迫使电流输出时要向两个方向流动。

场效应晶体管技术 双极晶体管与场效应晶体管工作原理相同。 都是电荷控制元件 即它们的输出电流和控制极半导体内的电荷量成比例。 当它们被用作开关时，两者必须和低阻抗源极的拉电流和灌电流分开，用以为控制极电荷提供快速的注入和释放。 MOS场效应管在不断的开与关，速度可和双极晶体管相比拟时，它被驱动的将十分的‘激烈’。 理论 双极晶体管和MOS场效应管的开关速度是相同的，取决与载流子穿过半导体所需的时间。 在功率器件的典型值：20 ~ 200皮秒，但这个时间和器件的尺寸大小有关。 与双极结型晶体管相比，MOS场效应管优势： 1.在高频率开关应用中MOS场效应管使用比较方便。 MOS场效应管易被驱动，因它的控制极和电流传导区是隔离开的，不需持续电流控制，MOS场效应管导通后，驱动电流几乎为0。 2.在MOSFET中，控制电荷积累和存留时间大大减小。 解决：设计中导通电压降和关断时间间的矛盾。

MOS场效应管栅极驱动变压器作用 传递以地为参考的栅极激励脉冲，让它通过比较大的势差来调解变动的驱动。可缩放电压。 它操控：低能量，高峰值电流来驱动功率场效应管的栅极。 栅极驱动变压器：被像PWM占空比功能可变的脉冲宽度来驱动，振幅的固定或变动取决于电路排布。 单端电流模式：电路中栅极驱动变压器是交流耦合，磁化部分产生了振幅可变的脉冲。 双端引线安排：像半桥式应用中，用振幅固定的信号来驱动栅极驱动变压器。 所有情况下，栅极驱动变压器在B-H曲线的第一个和第三象限都工作。

MOS场效应管亚阈区电流 MOS场效应管测试都要求进行弱电流的测量。 包括栅极漏电+泄漏电流+温度的关系+衬底对漏极的漏电和亚阈区电流等。 亚阈区电流测试常在晶圆片级进行。 它是表示器件打开和关闭的快慢程度的参数。 如下图所示 测量亚阈区电流经典电路图，4200型半导体特性分析系统配备2个SMU和前置放大器。 用一个SMU来提供恒定的漏-源电压（VDS），并测量产生的漏极电流IDS。 另一个SMU用来扫描栅-源电压（VGS）。 此SMU，应当将钳位电流或测量电流值，设置为固定测量量程上最高期望的栅极电流。

功率MOS场效应管：开关速度快+驱动功率小+功耗低，广泛应用于：小容量变流器。 用功率MOS场效应管桥式拓扑结构，同一桥臂上的两个功率器件在转换过程中，栅极驱动信号会产生振荡，此时功率器件的损耗较大。 振荡幅值较高，将使功率器件导通，造成功率开关管直通而损坏。 解决方法：在MOS场效应管关断时，在栅极施加反压，以削弱振荡的影响； 但反压电路却占用空间，同时增加了成本。

因SiC MOS场效应管具有取代现有的硅超级结SJ晶体管和集成栅双极晶体管IGBT技术的潜力，因此受广泛应用。 1962年Lloyde Wallace获得了专利US3254280A，这是一种碳化硅单极晶体管器件。 它本质上是一个结型场效应晶体管。在P型SiC主体中形成N型沟道区域 源极/漏极触点形成到N型沟道。 栅极结构位于源极和漏极之间，并且相应的栅电极位于SiC衬底的底侧。 目前，UnitedSiC正在生产基于碳化硅的J场效应管 ，为提高性能而基于垂直设计，其中源极和栅极位于SiC裸片的顶部，而漏极位于背面。

MOS场效应管D与S极加电压为VDD 当驱动开通脉冲加到MOS场效应管的G和S极时，输入电容Ciss充电， G和S极电压Vgs线性上升并到达门槛电压VGS（th） Vgs上升到VGS（th）之前漏极电流Id≈0A，没有漏极电流流过，Vds的电压保持VDD不变。 当Vgs到达VGS场效应管(th) 漏极开始流过电流Id，Vgs继续上升，Id逐渐上升，Vds仍然保持VDD。 当Vgs到达米勒平台电压VGS（pl） Id也上升到负载电流最大值ID，Vds的电压开始从VDD下降。

RF 功率 MOS场效应管最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。 以前RF功率MOS场效应管使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。 后期，硅基LDMOS效应管失真小、线性度好、成本低等，成为主流技术。 手机基站中功率放大器的输出功率范围从5W到超过250W，RF功率MOS场效应管是手机基站中成本最高器件。 如：手机基站中RF部分成本约6.5万美元，功率放大器成本达4万美元。 RF 功率 MOS场效应管在无线电通讯领域也有应用，其频率已延伸至低微波段且输出功率可达百W以上，同时也应用于电视，特别是数字电视功率放大器、雷达系统和军事通讯中。

基于CMOS效应管的数字隔离器，提供高CMTI性能，高可靠性，更长的工作寿命。 如Si84xx CMOS场效应管数字隔离器系列满足通用CMTI规格25kV/µs，新一代隔离元器件预计将比现有产品的性能水平提高2倍。 电磁场性能 CMOS效应管数字隔离器优于其他隔离技术。 如Si84xx隔离器，目前市场最高EMI耐受性。 大于300V/m电场抗扰度 大于1000A/m磁场抗扰度 具有最佳共模噪声抑制能力：因数字隔离器通过用差分信号在隔离栅中进行数据传输，成对的窄通带滤波。

MOS场效应管导通电阻受温度影响 功率MOS场效应管开关，温度升高，导通电阻上升。 操作温度范围内 温度上升，MOS场效应管的Rds（ON）以2倍正斜率上升； 如下图所示 约0.64%/度,驱动条件一定 MOS场效应管：通过降低开启门限电压来补偿； 晶体管：温度上升，增益迅速上升，Vce（sat）变化小,硅利用率： MOS场效应管，导通前，需横向开拓电流通路，要半导体硅晶片更多。 BIPOLAR TRANSISTOR最优化，用电流垂直流动