英飞凌的100V OptiMOS™ 功率mosfet为高效率、高功率密度开关电源提供了优越的解决方案。与下一个最好的技术相比，这个系列在rd（on）和FOM（figure of merit）方面都减少了30%。 英飞凌MOS场效应管IPB042N10N3G 功能概述 出色的切换性能 世界最低研发率（on） 极低的qg和qgd 优秀的栅极电荷x rd（on）产品（FOM） 符合RoHS标准的无卤素 MSL1等级2 优势 环境友好型 提高效率 最高功率密度 需要较少的并联 最小的电路板空间消耗 易于设计的产品

英飞凌CoolMOS™ P7系列950 V CoolMOS P7超结MOS场效应管； 950 V CoolMOS P7封装：TO-252 DPAK+TO-220 FullPAK+TO-251 IPAK LL+SOT-223 低功率SMPS+更高密度高压MOS场效应管； 应用于：照明+智能电表+移动充电器+笔记本适配器+AUX电源和工业SMPS 全新半导体解决方案，可实现高散热性能+能源效率，节约成本； MOS场效应管950 V CoolMOS P7特点 1.DPAK导通电阻 2.更高密度设计 3.最低VGS(th)容差+VGS(th) 4.应用于驱动设计非常出色

MOS场效应管检测损耗，一般情况是人工计算，如PFC MOSFET开关损耗靠经验，要量化评估，应该如何检测。MOS场效应管工作功率损耗：（导通+关闭）过程+导通状态（少量） 关闭状态损耗≈0 一般MOS场效应管周期不同，电压电流波形相同，整体功率损耗检测可取任一周期， PFC MOS场效应管，周期不同，电压电流波形不同，功率损耗计算准确值，即要在 时间>10ms，高采样率波形捕获，可在1G采样率，需存储深度10M或以上，原始数据是不能抽样，但要列进去一起计算功率损耗

MOS场效应管开关电源PFC激励应用电路及等效电路，并联开关电源 L1=储能电感， D10=整流二极管 Q1，Q2=开关管 Q1与Q2并联 Q1与Q2栅极都有充电限流电阻和放电二极管 R16=Q2限流电阻（激烈信号=正半周，对Q2栅极等效电容充电，此时的电阻） D7=Q2放电二极管（激烈信号=负半周，Q2栅极等效电容放电，此时的二极管） R14、D6=Q1放电二极管（充电限流电阻和放电） R17和R18=Q1和Q2的关机栅极电荷泄放电阻 D9=开机瞬间浪涌电流分流二极管

灌流电路解决MOS场效应管输入端内阻+激励电流，让减少内阻并增加电流； 为何要用灌流电路 MOS场效应管特性容性输入，输入端=小电容器，输入开关激励信号即对电容反复的充电+放电，在此过程中，MOS场效应管导通和关断滞后，开关速度变慢。 A方波=输入端激励波形 电阻R=激励信号内阻 电容C=输入端等效电容 激励波形A加到输入端，即对等效电容C充放电 输入端实际电压波形变成B畸变波形，开关管即损坏。 那么，如果R非常小，激励信号提供足够电流，等效电容即可充放电，即MOS场效应管可开与关，正常工作，因此我们就要用灌流电路解决此问题。

NMOS场效应管怎么防止电源反接 如果电源反接，电路中的元器件将被损坏，可是电源反接在电路中是不可回避的问题，所以我们只能在电路中加入保护电路。 传统解决方案 电源正极串联二极管 因：二极管有压降，即有损耗，若电池供电场，电池使用时间减短。 MOS场效应管防反接 优势：小压降，可忽略； 如：过电流=1A   即压降=6.5毫伏 接电，NMOS场效应管寄生二极管导通，S≈0.6V，G极电位VBAT  VBAT-0.6V>UGS阀值开启电压，MOS场效应管DS导通，内阻小，即寄生二极管短路，压降≈0。 电源反接：UGS=0，MOS管不导通，与负载回路断开，电路安全。

MOS场效应管基本知识 MOS场效应管开关模型寄生参数： 驱动过程分析：CGS，CGD，CDS 漏极扰动对MOSFET影响：DS间寄生三极管（内部三极管导通而雪崩+CGD耦合引起门极电位上升元件误导通） 体内寄生三极管+体二极管 体二极管：它的反向恢复时间tf很难处理，能直接影响开关管性能和损耗，它是工艺制成的副作用。  导通过程 在开关模型中执行 1.PWM高电平信号经过功率放大转换，对门极充电。 2.电流流过：CGS充电经过源极负载回到地+CGD充电 第一阶段：CGS电位上升，满格到达门极开启电压，DS沟道间开始出现电流，然后结束；

TrenchFET® P沟道Gen III功率MOS场效应管即Vishay Si8851EDB 封装：2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT® 4.5V导通电阻低至8.0mΩ -4.5V=栅极驱动  导通电阻=8.0mΩ -2.5V=栅极驱动  导通电阻=11.0mΩ 结合技术：P沟道Gen III+MICRO FOOT无封装CSP+30pin引脚 高度薄：与(2mm x 2mm x 0.8mm)*50% 4.5V栅极驱动  导通电阻/2 单位封装尺寸导通电阻低37% 它的导通电阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOS场效应管，

MOS场效应管栅极失效，即让传导和开关损耗降低 MOS场效应管栅极被屏蔽即让它失效，在电压40～300VMOS场效应管应用 提高效率和功率密度是DC/DC工程师所经要面对的问题， Rds(on)=导通阻抗 Qg=栅极电荷 在上面两个参数中，一个增大，则另一个减小，它们是互反。 但新沟槽MOS场效应管工艺，即可让Qg不变，Rds(on)减小 此技术为：屏蔽栅极技术 关键点是：减小中压MOS场效应管导通阻抗关键分量，与漏源击穿电压BVdss有关外延阻抗epi resistance。 额定30V与100V的传统沟槽MOSFETRds(on)分量比较 100V元件，Rds(on)中外延分量百分比大 用屏蔽栅极的电荷平衡技术，Qg不受影响，外延阻抗降低一半或以上。

高压场效应管节能 高压场效应管工艺：常规平面+电荷平衡，平面：稳定+耐用 缺点：有源区与击穿电压一定，导通电阻 > 超级MOS场效应管电荷平衡工艺。 导通电阻值确定，有源区大小变化通过输出电容与栅极电荷影响元件热阻与切换速度。 击穿电压与尺寸都相同 新电荷平衡型元件导通电阻值=传统元件电阻值*25% 但片基尺寸小，确有高热阻。 边缘终端：让场效应管不存在片基边缘上的电压击穿。 高压场效应管：边缘区>有源区