功率MOS场效应管：开关速度快+驱动功率小+功耗低，广泛应用于：小容量变流器。 用功率MOS场效应管桥式拓扑结构，同一桥臂上的两个功率器件在转换过程中，栅极驱动信号会产生振荡，此时功率器件的损耗较大。 振荡幅值较高，将使功率器件导通，造成功率开关管直通而损坏。 解决方法：在MOS场效应管关断时，在栅极施加反压，以削弱振荡的影响； 但反压电路却占用空间，同时增加了成本。

因SiC MOS场效应管具有取代现有的硅超级结SJ晶体管和集成栅双极晶体管IGBT技术的潜力，因此受广泛应用。 1962年Lloyde Wallace获得了专利US3254280A，这是一种碳化硅单极晶体管器件。 它本质上是一个结型场效应晶体管。在P型SiC主体中形成N型沟道区域 源极/漏极触点形成到N型沟道。 栅极结构位于源极和漏极之间，并且相应的栅电极位于SiC衬底的底侧。 目前，UnitedSiC正在生产基于碳化硅的J场效应管 ，为提高性能而基于垂直设计，其中源极和栅极位于SiC裸片的顶部，而漏极位于背面。

MOS场效应管D与S极加电压为VDD 当驱动开通脉冲加到MOS场效应管的G和S极时，输入电容Ciss充电， G和S极电压Vgs线性上升并到达门槛电压VGS（th） Vgs上升到VGS（th）之前漏极电流Id≈0A，没有漏极电流流过，Vds的电压保持VDD不变。 当Vgs到达VGS场效应管(th) 漏极开始流过电流Id，Vgs继续上升，Id逐渐上升，Vds仍然保持VDD。 当Vgs到达米勒平台电压VGS（pl） Id也上升到负载电流最大值ID，Vds的电压开始从VDD下降。

RF 功率 MOS场效应管最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。 以前RF功率MOS场效应管使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。 后期，硅基LDMOS效应管失真小、线性度好、成本低等，成为主流技术。 手机基站中功率放大器的输出功率范围从5W到超过250W，RF功率MOS场效应管是手机基站中成本最高器件。 如：手机基站中RF部分成本约6.5万美元，功率放大器成本达4万美元。 RF 功率 MOS场效应管在无线电通讯领域也有应用，其频率已延伸至低微波段且输出功率可达百W以上，同时也应用于电视，特别是数字电视功率放大器、雷达系统和军事通讯中。

基于CMOS效应管的数字隔离器，提供高CMTI性能，高可靠性，更长的工作寿命。 如Si84xx CMOS场效应管数字隔离器系列满足通用CMTI规格25kV/µs，新一代隔离元器件预计将比现有产品的性能水平提高2倍。 电磁场性能 CMOS效应管数字隔离器优于其他隔离技术。 如Si84xx隔离器，目前市场最高EMI耐受性。 大于300V/m电场抗扰度 大于1000A/m磁场抗扰度 具有最佳共模噪声抑制能力：因数字隔离器通过用差分信号在隔离栅中进行数据传输，成对的窄通带滤波。

MOS场效应管导通电阻受温度影响 功率MOS场效应管开关，温度升高，导通电阻上升。 操作温度范围内 温度上升，MOS场效应管的Rds（ON）以2倍正斜率上升； 如下图所示 约0.64%/度,驱动条件一定 MOS场效应管：通过降低开启门限电压来补偿； 晶体管：温度上升，增益迅速上升，Vce（sat）变化小,硅利用率： MOS场效应管，导通前，需横向开拓电流通路，要半导体硅晶片更多。 BIPOLAR TRANSISTOR最优化，用电流垂直流动

击穿电压 80年代末MOS场效应管BVDSS漏源击穿电压在400V~1000V已到极至，随着Rds（ON）改善，大封装靠硅晶片面积增大达到效果， PLANER缺点：Rds（ON）迅速上升，Rds（ON）∝BV2.6，功耗增大，MOS场效应管高压发展已经瓶颈。 双极性晶体管 用少子PLANER导电，MOS场效应管易做到高压，饱和开关时，集电极区阻抗电导调制效应，Rce（sat）降低，但是MOS场效应管并没有电导调制效应Rce（sat）∝BV2 。 如下图所示 ZETEX 3rd 晶体的Rce（on） vs BV

MOS场效应管驱动器功耗： 1. MOS场效应管栅极电容充电和放电产生的功耗。 与MOS场效应管栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。 2. MOS场效应管 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。 高电平时和低电平时的静态功耗。 3. MOS场效应管驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。 MOS场效应管驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。

栅级驱动器封装，对不同开关和不同测试条件，芯片有着相似损坏。 电压=750 V，试验IGBT爆炸+限流器件Rg+DZ损坏； 只看到引脚VDDA线焊位置附近小范围熔化，损坏阶段，栅级过电流通过内置P-MOS场效应管二极管流入 100 μF 电容，过电流，线焊附近区域熔化。 驱动器芯片没有进一步损坏，控制芯片也没有出现进一步的隔离损坏。试验：熔融区域，直接将150 V高压施加于驱动器芯片，控制芯片电隔离通过本次极端过载试验。 如上图1，试验8期间：损坏位置 ADuM4223 #1，输出芯片表面有一小块烧坏，隔离栅没有受损； 上图2，试验9期间：损坏位置ADuM4223 #2，极端电气过载时控制芯片没有损坏，隔离栅没有受损。

MOS场效应管驱动器电气过载测试，即EOS测试； 因此建接近实际情况电路； 此电路含有应用于5 kW~20 kW逆变器的电容和电阻。 用2 W额定功率金属电阻应用于轴向型栅极电阻Rg。 用阻流二极管D1是为了不让电流从高压电路反向进入外部电源。 可反应出实际情况，要组成自举电路，浮动电源至少包括一个整流器即可， 电解电容块充电：是高压电源HV通过充电电阻Rch+开关S1的电路 实施EOS测试 控制输入VIA或VIB，用500μs开启信号； 开启信号通过微隔离传输，会造成短路，并损毁功率晶体管T1。 若在一定情况时，会出现晶体管封装爆炸。