SiC场效应管是在SiC WBG技术最好的， Qorvo的一部分。 是 SiC场效应管 和硅 MO场效应管 的常关共源共栅组合， 品质因数FoM是所有竞争技术最佳 特定电压等级器件导通电阻 * 芯片面积=FOM RdsA 如下图所示 SiC场效应管品质因数 RdsA与竞争技术相比 SiC场效应管硬开关拓扑表现最佳因素：低损耗体二极管，快速开关。 如，OBC PFC 前端，图腾柱布置或有源前端，具有高效率和双向能力.

在开与关切换模式SiC MOMOS场效应管运行 元件线性区或有源区 作用：作电流调节器，所有可用电流都无法流通的区域。 缺点：高功耗，低效率。在某些情况下，元件在线性区域中运行，导致结果： 1.栅极电压V g不在厂家设定的正负极限，而是位于中心区域附近； 2.漏源电压V ds不接近于零，而是处于高得多的电压；

有的电路用MCU直驱，有的专用驱动IC驱动？ 因素：MOS场效应管开关速度，工作电流电压，热阻，导通电阻等。 特别是GS极寄生电容。 提供足够驱动电流调整MOS场效应管开关时间。 条件：Vgs电压 >  th开启电压 Source极接地，但要注意Gate电压 如：H桥驱动电机 MOS管S极可能不直接接地，因此要用专用驱动IC驱动

NMOS场效应管反向电流保护电路图，简化过的电荷泵电路， 直接连到RC 滤波。 振荡电路：用比较器搭出，施密特振荡触发器取代555。 实际：如果用运放替代比较器，用双运放芯片即可一个运放振荡。 去掉了另外比较器上迟滞，比较器内部带迟滞处理。 若：如果用运放代替，则要加上。

MOS场效应管高效D类音频放大器电路原理图，构建电路在 PerfBoard 上，在一块穿孔板上制作了电路。 这样做的原因： 1.电路简单; 2.修改快速; 用铜线完成大部分连接，但在某些最后阶段，使用一些连接线来完成构建。 完成穿孔板电路：

驱动MOS场效应管 Q1 和 Q2 的同步降压控制器原理电路，考虑因素 1.用MOS场效应管和控制器的功率级的印刷电路板PCB布局的紧凑性不好 2.在 MOS场效应管开关时间，在额定范围转换器中更精确。 体二极管导通时间更短，开关性能可改善，反向恢复相关噪声可降低。

用高压差分探头，不适用测Crosstalk波形。高压差分探头前端 1.测量线很长，相当于一个天线，会接收到SiC MOS场效应管开关过程中快速变化的电流产生的干扰信号，影响测量结果。 2.测量线，可看做电感，让测量结果，出现本不存在的震荡。

SiC MOS场效应管芯片上实际的驱动电压为VGS，用电压探头获得的是VGS-M。 区别：VGS-M包含VGS+SiC MOSFET芯片栅极电阻RG(int)上的压降VRG和寄生电感L上的压降VL。 原因：电压探头无法直接接在SiC MOS场效应管的芯片上，只能接在器件封装的引脚上。 即RG(int)和L都在测量点间。 仿真结果 通过电压探头测量，得Crosstalk波形比实际发生的Crosstalk偏低。 因：寄生参数的影响，低估Crosstalk的严重性。

MOS场效应管Rg 作用：为了降低MOS开关时振铃的发生， 降低开关时的振铃，采用计算选型Rg。 1.外部串联Rg，要在满足，基于减弱开关振铃要求的基础上尽可能的小， 2.PCB走线尽可能的粗。 MOS场效应管与驱动器距离要近，电流回路减小。 要降低Lg，PCB走线和器件布局很重要。

MOS场效应管无驱动器源极引脚： 在导通时驱动电路网中包含VLSOURCE和VRG_EXT(I). 会减少导通工作所需芯片上电压VGS_INT，因此降低导通速度,MOS场效应管有驱动器源极引脚 ID流向→电源Power Source引脚，不流向驱动器源极并且不包含在驱动电路网中，VLSOURCE对VGS_INT无影响。