MOS管替代原则 1.最优是原型号替代。 2.功率不要一味要求大 原因：大功率，大输入电容值，不符合原激励电路，激励灌流电路充电限流电阻阻值与MOS管输入电容相关。 如：大功率容量大，输入电容大，激励电路配合不好，MOS管开与关性能差。 3.若，MOS管换不同型号，考虑输入电容 4.MOS管更换时，它周边的灌流电路元件，也要一起更换。 原因：MOS管损坏可能是灌流电路元件欠佳。

MOS场效应管放电过程，开关断开即三极管截止的等效电路，开关断开，因电感的电流 特性保持，电流经过电感，并不会迅速等为0，只是慢慢充完电后，它的值才会等于0。原电路已断开，电感只能通过新电路放电

MOS场效应管DM脉冲漏极电流作用：反应元件可处理脉冲电流的高低脉冲电流：高于连续的直流电流。定义IDM目的：线的欧姆区。 一定栅源电压下，MOS场效应管导通后，有最大漏极电流。

MOS场效应管应用于电机驱动电路中的接地电容电机系统中提供瞬间电荷，寄生电感导致抑制电流纹波和电压尖峰。原因：电荷是由低值电容器提供，并且可以快速提供。 大量的电荷可以从高值电容器，此处获得，随时间充电。

芯片硅基掺杂材质不同 N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道 P沟道MOS管：用空穴流作为载流子 P沟道MOS管是用空穴流作为载流子迁移率小，需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，是高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。

MOS场效应管判断寄生二极管规则： N沟道：S极指向D极 P沟道：D极指向S极，二极管：独特的单向导电性，可想成电子版的逆止阀。 如何产生寄生二极管： 因生产工艺造成，大功率MOS场效应管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。 小功率MOS场效应管 集成芯片中MOS管是平面结构 漏极方向：从硅片上面与源极相同方向，无此二极管。

MOS场效应管保护电路时可能阻塞状态图解，若充电器使能前，接入电池，电池上拉MP1的栅极电压，MP1被停用。 充电器接通，产生受控电流，MP1接通MP2关断的可能性降低。 若：电池附联前，启用充电器，MP1栅极跟随电池充电器输出， 原因：它由泄放电阻器R2上拉 未接入电池，MP1没有接通和使MP2脱离运行状态的倾向。

输入端：Q3+外部共基极=电平转换电路 ⑤：接受控制输入，它由MCU产生 输入3V数字量 转 12V数字量 Q1 Q2：互补射极输出器，它们不会同时导通短路电源 输出端：串电阻，避免意外 MOS场效应管从截止到导通时间  >  导通到截止 R1值减小，导通时间减小，但并不无限，因驱动源拉电流能力有限

英飞凌infineon高压侧闸门驱动器EiceDRIVER™ 2ED2410-EM为高级汽车配电提供了新的电线保护功能,英飞凌infineon 推出了EiceDRIVER™ 2ED2410-EM，用于12 V/24 V汽车应用的智能高端MOSFET栅极驱动器

MOS场效应管负载连接方式 MOS场效应管的驱动负载，正确的方法是接在漏极D 如下图所示 左边电路： G极电势=4v，S接地，电势=0v Vgs=4v，MOSFET导通 Vd=0.075v，可看作似0。 右边电路： 右方接负载电路，无法带动负载，即MOSFET无法导通 原因：MOSFET导通，Vs≈Vd=24v，Vgs=Vg-Vs=-20v，MOSFET不导通.