如下图所示MOS场效应管中栅极充电电荷量Qg的测量电路

原理：当在栅极以恒流Ig驱动时间轴t时，时间轴 t乘以Ig，这样，时间轴可作为电荷量Qg来读取。

如下曲线图所示在2SK299中实际测量Turn-on、Turn-off时的Qg-VGS·VDS特性。纵轴为漏极/源极电压VDS、 栅极/源极电压VGS，横轴为MOS场效应管栅极充电电荷量Qg。

 

(a)(b)波形：开始是由零开始上升的部分给 栅极/源极电容Cgs充电的期间，接着是平面的部分给栅极/漏极电容Cgd充电的期间。

(c)(d)波形： 为反向放电的期间。由此可以清楚的了解Cgs与Cgd充电所必需的电荷量各自不同。

如下图所示以2SK299的VDD、ID为参数的Qg-VGS特性。
(b)波形：VDD=100V、ID=1A条件 下的所需充电量为16nC。

 

此时所需VGS约为5.2V （该值因Vth·gm稍有差异），但是，在实际开关工作中，通常应在漏极/源极电压

完全处于接通状态 （饱和） 、降低通态电阻、外加容限、且 VGS=10 ～ 15V 的超速驱动条件下使用。因此在VDD=100V、 ID=1A、 VGS=10V的条件下设计驱动电压时，栅极充电电荷量为28nC。

因为Cgd随VDS的变化而发生波动，所以在VDD=100V和200V时Qg的值不同。

 

 

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