闩锁效应：指CMOS场效应管电路中，寄生可控硅结构被触发导通，在电源和地间存在一个低阻抗大电流通路，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路。

Latch up：指CMOS场效应管晶片中，在电源VDD和地线GND(VSS)间，因寄生PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路，它的存在会使VDD和GND间产生大电流；

Latch up产生，根据封装密度与集成度有关，这两者越高，可能产生Latch up越大。
Latch up产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏。
IC Layout防范Latch up很重要。

Latch up原理
如上电路所示
Q1=垂直式PNP BJT
基极(base)=nwell
基极到集电极的增益可达数百倍；

 

Q2=侧面式NPN BJT
基极=P substrate

到集电极的增益可达数十倍；

Rwell=nwell的寄生电阻；
Rsub=substrate电阻。

四元件构成可控硅SCR电路，当无外界干扰引起触发时，两个BJT可控硅结构处于截止状态，集电极电流由C-B的反向漏电流构成，非常小的电流增益，此时不会产生Latch up。

 

因集电极电流受外部干扰，其中一个BJT增加 = 一定值

会反馈至另一个BJT

即触发两个BJT同时导通，VDD至GND间形成低阻抗通路，产生Latch up。