CMOS反相器组成：一个P沟道增强型MOS管+一个N沟道增强型MOS管串联

P沟道管=负载管

N沟道管=输入管

 

特点：降低功耗；

原因：两种逻辑状态中，两个晶体管中的一个总是截止，处理速率提高，CMOS反相器低电阻。

 

优势：

1.电源利用率高。
如：VOH=VDD，阈值电压随VDD变化，允许VDD有较宽的变化范围，一般为+3～+18V。

2.输入阻抗高，带负载能力强。

3.静态功耗极低。
如：在稳定时，CMOS反相器工作在工作区Ⅰ和工作区Ⅴ，总有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流。

4.抗干扰能力较强。
因阈值电平近似为0.5VDD，输入信号变化时，过渡变化陡峭，低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力增强。

 

 

工作原理

输入高电平，UI=+UDD，VN导通，Vp截止　Uo≈0v

输入低电平　Ui=0，VN截止，VP导通　Uo≈VDD

 

电压传输特性

导通区CD：UI>VDD-VTP VN　导通、VP截止。

截止区AB：UI<VTN VN截止、VP导通。

转折区BC：阈植电压UTH=1/2UDD　若VI=UTH=1/2UDD　则ID达最大.