驱动电路加速MOS场效应管关断时间

电路图如下:

 

高端MOS场效应管驱动，一般用变压器驱动，安全隔离用变压器驱动；

R1作用：抑制PCB板上寄生电感与C1形成LC振荡；

C1作用：隔开直流，过交流，防止磁芯饱和。

 

 

如下电路图所示

关断瞬间驱动电路，能提供低阻抗通路，供给MOS场效应管栅源极间电容电压快速泄放，可确保开关关断速度；

 

栅源极间电容电压快速泄放，在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管

D1=快恢复二极管

关断时间减小，关断损耗减小。

Rg2作用：防止关断时电流过大，电源IC烧坏。

图腾柱电路作用快关断，电源IC驱动能力足够，如上图所示电路改进后，可加速MOS场效应管关断时间，三极管泄放栅源极间电容电压，

 

若：Q1发射极无电阻

PNP三极管导通，栅源极间电容短接，在最短时间把电荷放完，最大限度减小关断时交叉损耗。

 

栅源极间电容上电荷泄放时电流，不经过电源IC，获得高可靠性。