英飞凌infineon将具有不同充电状态（SOC）的电池组串联连接，此系统只能在一个电池组达到最小允许充电水平之前运行。在这一点上，整个系统正在关闭，即使其他电池组可能仍然充满电。简言之，电池利用率仅限于最弱的电池组。 为了克服这一局限性，模块化级联、多级结构已经被开发出来，利用了高效、低压mosfet的优点，例如英飞凌infineo的市场领先的OPTIMOS™ 家庭。每个电池组连接到它自己的定向功率转换器，然后这些转换器的输出串联起来，形成高压直流母线。

英飞凌infineon功率变换系统的拓扑结构 在住宅区和家庭中通常使用功率低于10千瓦的储能系统。系统通常采用两个需要双向工作的级：DCDC和ACDC级。 英飞凌infineon通过应用市场领先的碳化硅（SiC）和硅（Si）MOSFET以及IGBT技术与最适合的栅极驱动器搭配，实现了具有最高效率和功率密度的全系统解决方案。 推荐产品： 1.碳化硅（SiC）MOSFET:CoolSiC™ 2.低电压MOSFET（<300V）OptiMOS™ 3.高压MOSFET（>400V）：CoolMOS™ 4.分立IGBT:IGBT 5.门驱动器IC:EiceDRIVER™

飞凌infineon AC/DC和DC/AC转换是在功率转换系统（PCS）中完成的。能量流入电池充电，或者从电池储能转换成交流电源并送入电网。 在PC机中，功率低于30千瓦的解决方案通常最好使用离散解决方案OptiMOS™, CoolMOS™, and CoolSiC™ MOSFETs,而在100千瓦以上的模块接近IGBT模块以及高度集成的3级Easy 1B/2B模块，最经济合理。

英飞凌infineon无刷直流电动机的关键特性 1.不使用永久磁铁 2.定子和转子中的尖极 3.相对稳健和高效 4.适合在非常高的环境温度下使用 5.缺点：噪音和转矩脉动,英飞凌infineon广泛的产品组合中的高品质电机控制和电机驱动解决方案是理想的选择。 您将受益于久经考验的可靠性和优秀的绩效指标，以及为您节省宝贵时间和金钱的软件工具。探索我们的产品，找到适合您的开关磁阻电机的产品、应用套件和支持。

汽车人机界面启用程序 英飞凌infineon为汽车人机界面应用提供高度复杂的模拟信号产品，从行业领先的可编程嵌入式片上系统开始；PSoC®系列支持广泛的汽车应用，并扩展了电容传感解决方案控制器CapSense®产品线。 TrueTouch®触摸屏解决方案彻底改变了触摸屏市场，提供了无与伦比的灵活性和最广泛的产品组合。Infineon Technologies提供定制尺寸的TrueTouch指纹读取器，可灵活集成到汽车应用的任何设计中。该解决方案提供了一个完整的软件堆栈，包括FIDO组件，可以快速集成以满足更高级别的行业安全需求。 英飞凌infineon提供世界上最广泛的触摸屏解决方案组合。我们的专利涵盖了从面板结构、自电容和互电容传感到扫描方法、抗噪性和手指跟踪等触摸传感创新的各个主要领域。我们在触摸屏领域的持续领先地位意味着我们将以真正创新的解决方案应对新的挑战和市场趋势。

H）EV-辅助 由于整体效率始终是（H）电动汽车的主要关注点，因此，考虑在车辆上安装高压轨时，考虑为高压域带来更多的实质性负载是有意义的。 EPS（电动助力转向），可使用辅助逆变器来控制所需的电动机。英飞凌infineon系统优势 1.全自动认证产品组合，支持多种电机、发电机和功率等级；紧凑设计，高功率密度 隔离集成在门驱动器中 2.高效率的三相驱动，即使在高开关频率下也能实现极低的导电损耗 3.广泛的16位和32位微控制器解决方案，专用于（H）电动汽车应用 4.提供评估工具包，以减少系统开发时间

英飞凌Infineon OptiMOS和StrongIRFET技术提供广泛的安全操作区域（SOA）和坚固的线性模式设备，以实现安全可靠的eFuse功能。由于在短路期间MOSFET需要快速关断，所以eFuse可能会发生倒锚。这反过来会导致短而高的电流脉冲流入电感，电感是由连接电池组和负载的电线以及负载本身产生的，寄生电感可以产生足够的电压，从而导致mosfet的共变。

英飞凌infineon单独的充放电端口 在这种拓扑结构中，电池充电器和负载端口是分开的。这种拓扑通常在以下情况下使用： 1.充电电流和放电电流不同（充电电流通常远低于放电电流）。 2.充电时电池与负载分离。英飞凌infineon电池负载涌流保护，1.负载具有较高的输入电容，会被励磁涌流损坏。 2.如果接通电流超过保险丝的极限，主保险丝将熔断。 3.接触器（如有）将被涌入电流损坏。 4.电池单元的额定值不适用于涌入电流。

英飞凌infineon源对源保护电路 在共源配置中，mosfet与彼此连接的源串联，mosfet的漏极在保护电路内外形成。这种mosfet的配置也可以称为背靠背配置。 优势 1.切换速度更快。 2.更便宜。 3.只需要一个充电泵或隔离电源。 4.只需一个栅极驱动器即可驱动两个MOSFET。 5.不太复杂的设计。 缺点： 1.采用标准排水封装的MOSFET散热面积更小。由于mosfet产生的热量会散失到铜中，铜与控制和传感电路相连。从而影响控制和传感解决方案的精度和效率。 2.如果发生故障，使用单栅极驱动器时，两个MOSFET可能同时发生故障。

英飞凌infineon高压侧保护 在高压侧保护中，断开连接的MOSFET与蓄电池组的正极端子串联。 优点：不绕地，不吊地。 缺点：需要带充电泵的栅极驱动器来驱动mosfet。 英飞凌infineon低压侧保护 在低压侧保护中，断开的MOSFET与蓄电池组的负极端子串联。 优点：易于实施，无需为闸门驱动器充电泵。 缺点：悬空接地→通过电池外壳接地旁路的电位，影响通信和操作。