行业资讯 企业资讯

节型MOS管和PN节构成及特点-mos管知识-竟业电子

   时间:2022/9/20      阅读:943    关键词:mos管

 

呈现正电:MOS管P型半导体中的多数载流子为空穴

呈现负电:MOS管N型半导体中的多数载流子为电子

 

PN节构成:当P型半导体和N型半导体吻合在一起时

多数载流子的扩散运动使得空穴从P型半导体流向N型半导体,使得电子从N型半导体流向P型半导体。进而在接触面附近形成空间电荷区,此区域内少子占优,如下图所示:

 

节型MOS管和PN节构成及特点

 

空间电荷区产生的电场力方向

从N型半导体指向P型半导体,电场力作用产生少数载流子漂移,让空穴从N区向P区漂移,电子从P区向N区漂移。

PN节形成:多子扩散运动与空间电荷区电场力构成的少子漂移运动方向相反,二者动态平衡,即形成。

PN节漏电流:中间的空间电荷区阻碍P区和N区之间的电流运动,动态平衡时的电流即。

 

正向电压PN节

多子扩散运动占据优势,空间电荷区变窄,直至为0,此时PN节导通;

 

反向电压PN节

少子漂移运动占据优势,空间电荷区变宽。

节型MOS场效应管特点:

节型MOS管和PN节构成及特点

DS原本是导通,加反向电压在GS间,空间电荷区增宽,让DS间处于预夹断和完全夹断,通过DS的电流大小与DS间的电压无关,保持恒定。

服务热线

0755-83212595

电子元器件销售平台微信

销售