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时间:2022/9/20 阅读:943 关键词:mos管
呈现正电:MOS管P型半导体中的多数载流子为空穴
呈现负电:MOS管N型半导体中的多数载流子为电子
PN节构成:当P型半导体和N型半导体吻合在一起时
多数载流子的扩散运动使得空穴从P型半导体流向N型半导体,使得电子从N型半导体流向P型半导体。进而在接触面附近形成空间电荷区,此区域内少子占优,如下图所示:
空间电荷区产生的电场力方向:
从N型半导体指向P型半导体,电场力作用产生少数载流子漂移,让空穴从N区向P区漂移,电子从P区向N区漂移。
PN节形成:多子扩散运动与空间电荷区电场力构成的少子漂移运动方向相反,二者动态平衡,即形成。
PN节漏电流:中间的空间电荷区阻碍P区和N区之间的电流运动,动态平衡时的电流即。
加正向电压到PN节
多子扩散运动占据优势,空间电荷区变窄,直至为0,此时PN节导通;
加反向电压到PN节
少子漂移运动占据优势,空间电荷区变宽。
节型MOS场效应管特点:
DS原本是导通,加反向电压在GS间,空间电荷区增宽,让DS间处于预夹断和完全夹断,通过DS的电流大小与DS间的电压无关,保持恒定。