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Parametrics | 1EDI20I12AF |
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Channels | 1 |
Configuration | High-side |
Input Vcc min max | 3.1 V 17 V |
Isolation Type | Galvanic isolation - Functional |
Output Current (Source) | 4 A |
Output Current (Sink) | 3.5 A |
Turn Off Propagation Delay | 300 ns |
Turn On Propagation Delay | 300 ns |
VBS UVLO (Off) | 11.1 V |
VBS UVLO (On) | 12 V |
VCC UVLO (Off) | 2.75 V |
VCC UVLO (On) | 2.85 V |
Voltage Class | 1200 V |
EiceDRIVER™ 紧凑型单沟道隔离栅极驱动器,3.5/4典型的DSO-8窄封装中的吸收和源峰值输出电流,IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的爬电距离为4mm。
1EDI20I12AF属于EiceDRIVER™ 1ED Compact 150mil系列(1ED-AF系列)。1EDI20I12AF提供独立的汇源输出,240ns输入滤波器,精确稳定的定时。驱动器可以在单极或双极的宽电源电压范围内工作。
功能概述
EiceDRIVER™ 紧凑型单通道隔离栅极驱动器系列
对于600 V、650 V、1200 V IGBT、SiC和Si MOSFET
电隔离无芯变压器栅极驱动器
4典型的吸收和源峰值输出电流
40 V绝对最大输出电源电压
300ns的传播延迟和240ns的输入滤波器
高共模瞬态抗扰度CMTI>100 kV/μs
分离的源和汇输出
短路夹紧和主动停机
DSO-8 150密耳窄体封装,爬电距离为4毫米
带滞后的10.5 V/12.7 V欠压锁定(UVLO)保护
优势
集成过滤器减少了对外部过滤器的需求
适用于高环境温度和快速切换应用中的操作
无需调整μ控制器和驱动器之间的信号电压电平
在输出芯片未连接电源的情况下,主动关闭以确保IGBT处于安全关闭状态
短路钳位以限制短路期间的栅极电压