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| Parametrics | IPD200N15N3 G |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.13 |
| Ciss | 1820 pF |
| Coss | 214 pF |
| ID (@25°C) max | 50 A |
| IDpuls max | 200 A |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 150 W |
| Package | DPAK (TO-252) |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 23 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 20 mΩ |
| Rth | 1 K/W |
| VDS max | 150 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2 V 4 V |
150V OptiMOS™ 与下一个最佳竞争对手相比，R DS（on）降低了40%，品质因数（FOM）降低了45%。这一巨大的改进带来了新的可能性，如从含铅封装转移到SMD封装，或用一个OptiMOS™ 有效地替换两个旧部件部分
功能概述
出色的切换性能
全球最低R DS（开）
非常低的Q g和Q gd
优秀的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）
符合RoHS标准，无卤素
MSL1额定值2
优势
环境友好型
提高了效率
最高功率密度
所需并联更少
最小的板空间消耗
易于设计的产品
应用
交直流开关电源的同步整流
48V–8 0V系统（即家用车辆、电动工具、卡车）的电机控制
隔离DC-DC转换器（电信和数据通信系统）
48V系统中的开关和断路器
D类音频放大器
不间断电源（UPS）
