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| Parametrics | IPG20N04S4-12 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.46 |
| ID (@25°C) max | 20 A |
| IDpuls max | 80 A |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 41 W |
| Package | dual SS08 (PG-TDSON-8) |
| Polarity | N+N |
| QG (typ @10V) max | 14 nC |
| Qualification | Automotive |
| RDS (on) (@10V) max | 12.2 mΩ |
| RthJC max | 3.7 K/W |
| Technology | OptiMOS™-T2 |
| VDS max | 40 V |
| VGS(th) min | 2 V ; 4 V |
40V，双N通道，12.2Ω 最大，汽车MOSFET，双SS08（5x6）PQNF，OptiMOS™-T2
功能概述
双N通道正常电平-增强模式
AEC Q101合格
MSL1最高260°C峰值回流
175°C工作温度
绿色产品（符合RoHS）
100%雪崩测试
优势
Dual Super S08可以取代多个DPAK，显著节省PCB面积并降低系统级成本。
接合线为200um，电流最高可达20A
用于引线键合的较大源极引线框连接
包装：PG-TDSON-8-4
与具有相同模具尺寸的DPAK具有相同的热性能和电性能。
暴露的焊盘提供出色的热传递（因模具尺寸而异）
一个封装中的两个N沟道MOSFET，带有两个隔离引线框架
应用
小负荷控制切换
车身应用
