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| Parametrics | BSS138N |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.04 |
| Ciss | 32 pF |
| Coss | 7.2 pF |
| ID (@25°C) max | 0.23 A |
| IDpuls max | 0.92 A |
| Operating Temperature min | -55 °C ; 150 °C |
| Ptot max | 0.36 W |
| Package | SOT-23 |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 1 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 3500 mΩ |
| RthJA max | 350 K/W |
| Special Features | Small Signal |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) min max | 0.6 V 1.4 V |
SOT23封装中的N沟道小信号MOSFET 60 V
Infineon技术为汽车和工业制造商提供了广泛的N和P沟道小信号MOSFET产品组合，这些产品满足并超过了知名行业标准封装中的最高质量要求。这些部件具有无与伦比的可靠性和制造能力，非常适合各种应用，包括LED照明、ADAS、车身控制单元、SMPS和电机控制。
功能概述
增强模式
逻辑电平
雪崩额定值
快速切换
Dv/dt额定值
无铅铅镀层
符合RoHS，无卤素
符合汽车标准
PPAP功能
优势
低RDS（打开）提供更高的效率并延长电池寿命
小封装节省PCB空间
一流的质量和可靠性
应用
汽车
照明
电池管理
负载开关
直流-直流
电动汽车
电机控制
车载充电器
电信
