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| Parametrics | IRF3205 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.59 |
| ID (@25°C) max | 110 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 150 W |
| Package | TO-220 |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 97.3 nC |
| Qgd | 36 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 8 mΩ |
| RthJC max | 1 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS max | 55 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2 V 4 V |
| VGS max | 20 V |
TO-220封装中的55V单N沟道功率MOSFET
功率MOSFET的IR MOSFET系列采用经验证的硅工艺，为设计师提供了广泛的设备组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电的应用。这些设备有各种表面安装和通孔封装，具有行业标准封装，便于设计。
功能概述
用于宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴提供的最广泛的可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品鉴定
针对低于100kHz的切换应用优化的硅
行业标准通孔电源包
高电流额定值
优势
增加了坚固性
分销合作伙伴的广泛可用性
行业标准资质
低频应用中的高性能
标准引脚输出允许插入式更换
高电流能力
