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| Parametrics | IKW08T120 |
|---|---|
| Eoff (Hard Switching) | 1.2 mJ |
| Eon | 1.08 mJ |
| IC (@ 25°) max | 16 A |
| IC (@ 100°) max | 8 A |
| ICpuls max | 24 A |
| IF max | 16 A |
| IFpuls max | 24 A |
| Irrm | 13 A |
| Ptot max | 70 W |
| Package | TO-247-3 |
| QGate | 53 nC |
| Qrr | 1000 nC |
| RG | 81 Ω |
| RGint | - |
| Switching Frequency | TRENCHSTOP™ 2-20 kHz |
| Switching Frequency min max | 2 kHz 20 kHz |
| Technology | IGBT TRENCHSTOP™ |
| VCE(sat) | 2.2 V |
| VCE max | 1200 V |
| VF | 1.7 V |
| td(off) | 570 ns |
| td(on) | 40 ns |
| tf | 140 ns |
| tr | 26 ns |
1200 V，8 A IGBT分立，带TO-247封装中的反并联二极管
硬开关1200 V，8 A TRENCHSTOP™ IGBT3与TO-247封装中的续流二极管共同封装，由于沟槽单元和场阻概念的结合，大大提高了器件的静态和动态性能。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步最小化了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。
功能概述
最低的VCEsat压降可降低传导损耗
开关损耗低
由于VCEsat中的正温度系数，易于并联切换
非常软、快速恢复反并联发射极控制的HE二极管
高坚固性，温度稳定性能
低EMI发射
低栅极电荷
非常紧密的参数分布
优势
最高效率–低导通和开关损耗
600 V和1200 V的综合产品组合，设计灵活
设备可靠性高
应用
电机控制和驱动
不间断电源（UPS）
