SiC 电源开关和 IGBT 的典型开关频率和功率级别 均可适用于 1kW 及以上的功率级别 SiC 电源开关比 IGBT传统硅电源开关，更有优势 1.电阻和电容更低，功率损耗低，效率提升。 2.开关速度快，开关损耗降低，率转换效率提升，能源产量更高，功率转换器输出提升。 可应用于光伏逆变器、储能系统，直流快充电源模块。

开关调节器，快速开与关的瞬变有好处 原因：降低开关模式电源中开关损耗。 在高开关频率，可提高开关调节器效率。 缺点 开关转换频率=20 MHz~200 MHz，快速增加干扰 开关模式电源解决方案：必在高频率范围内，在高效率和低干扰间 快速和慢速开关转换如下图所示

DC-DC转换器为何要接近负载点POL电源 作用：提高电源轨电压精度+效率+动态响应 原因：POL转换器受益应用高性能CPU、SoC和FPGA，对功率级要求高 汽车高级驾驶员辅助系统ADAS，雷达激光雷达和视觉系统 它们用传感器数增加，这样可能要更快数据处理，以最小延迟检测和跟踪周围的物体。 在数字系统，用高电流，低电压，电源和负载的距离要缩短。

单管 1 in1模块 单管模块组成：几个IGBT并联 如，它能达到一定的所要的电流规格 即可把它视为大电流规格的IGBT单管。 IGBT管芯面积：因机械强度和热阻影响，它的面积不能太大 大电流规格IGBT：需多个管芯装配到一块金属基板上。主发射极连接到主电路中 副发射极即第二发射极连接到栅极驱动电路

低传播延迟 在高频电源系统中很重要 因SiC MOS场效应管等WBG器件，可用高频电源系统。 在这些系统中，更高的频率能够最大程度地减少滤波组件，从而最大程度地减小系统，因此能够实现更高的功率密度。 更高的频率即有更高的开关损耗，要降低损耗。 传播延迟是栅极驱动器的关键参数之一 它可能会影响高频系统的损耗和安全性

UVLO 监视栅极驱动器的电源引脚，以确保电压保持在 特定的阈值以上，从而确保正常工作，对于MOS场效应管，与较高的驱动电压相比，其导通损耗将高得多。 高导通损耗的结果，导致更低的效率和发热，从而缩短寿命。 一个次要的考虑因素 是栅极驱动架构。

功率密度是衡量在给定空间内，可处理多少功率的指标，可量化为每单位体积处理的功率量，单位：瓦/立方米 (W/m3) 或瓦/立方英寸 (W/in3)。 它的值：基于转换器的额定功率和电源解决方案 箱体体积=长度 x 宽度 x 高度

IGBT 和 SiC MOS场效应管在开关瞬变期间，会因电压和电流重叠而产生损耗，栅极电流或驱动强度，决定器件输入电容器的充电和放电速度，栅极电流增大，tsw减小 电流过小，损耗升高 栅极电荷QG决定，所需栅极驱动强度

在该夹断区域中，栅极电压、VGS控制沟道电流，VDS几乎没有影响。 结果：FET的作用更像一个电压控制电阻器 当VGS=0时，电阻值=0 当栅极电压非常负时，电阻最大为“ON”，在正常操作条件下，JFET栅极总是相对于源极负偏置。 重要：栅极电压永远不会是正的 原因：是正，所有的沟道电流都会流到栅极而不是源极 结果：会损坏JFET，关闭通道

像双极结晶体管一样，JFET可以用于制造具有JFET公共源极放大器的单级A类放大器电路，其特性与BJT公共发射极电路相似。 JFET放大器优势 它们的高输入阻抗，R1和R2形成的栅极偏置电阻网络控制。该共源（CS）放大器电路由电阻器R1和R2形成的分压器网络以A类模式偏置。源极电阻器RS两端的电压通常被设置为大约VDD的四分之一（VDD/4），但可以是任何合理的值。