OptiMOS™ 60V是开关电源（SMP）中同步整流的完美选择，如服务器、台式机和平板电脑充电器中的同步整流。此外，这些器件还可用于广泛的工业应用，包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关DC-DC变换器。 英飞凌场效应管BSC028N06LS3 G的特点概述 1.优异的门负荷x r ds（）product（）fom） 2.非常低的抗蚀剂 3.快速开关应用理想 4.无卤化合物 5.MSL1 rated 英飞凌场效应管BSC028N06LS3 G的优势 1.最高的系统效率 2.需要较少的并联 3.功率密度增加 4.降低系统成本 5.超低电压

用于igbt和mosfet的PN结隔离(JI)高压电平转换栅极驱动器 pn结隔离JI技术是一种成熟、成熟的工业标准MOS/CMOS制造技术。 英飞凌专有的高压集成电路（HVIC）和锁存免疫CMOS技术使坚固的单片结构成为可能。先进的工艺允许单片高压和低压电路结构，为特定的电机控制和开关电源应用提供最佳的性价比。 JI电平移位高压门驱动器ICs系列具有过电流保护、关机、故障报告、使能、OPAMP、DESAT、可编程死区时间、穿透保护、独立的接收器和源输出、低UVLO（5v）、自振荡等高级功能。

OptiMOS™5 60V针对开关电源（SMP）中的同步整流进行了优化，如服务器、台式机和平板电脑充电器中的同步整流。此外，这些器件是广泛的工业应用的完美选择，包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关DC-DC变换器。 场效应管BSC016N06NS的特征概要 1.针对同步整流进行优化 2.比替代设备的Rd（开）低40% 3.FOM比类似设备提高了40% 4.符合RoHS-无卤素 5.MSL1级 场效应管BSC016N06NS

场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 场效应管分为两种：结型场效应管（JFET）和 金属 - 氧化物半导体场效应管（MOS-FET）场效应管工作原理： 是漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID；

Polar™HiPerFETs（IXF..）结合了Polar标准产品系列的优点和更快的体二极管，其反向恢复时间（trr）降低，使其适合相移桥电机控制和不间断电源应用（UPS）。这个hiperfet系列提供最低的RDS（on），低RthJC、低Qg和增强的DV/DT能力。 场效应管IXFK44N80P的特点： 国际标准包装 动态dv/dt额定值 雪崩额定值 快速本征整流器 低QG和RDS（开） 低漏极对极电容 低封装电感 场效应管IXFK44N80P的优势： 易于安装 节省空间

CoolMOS™C3的替代品是CoolMOS™P7 800V CoolMOS™C3是英飞凌的第三个CoolMOS™系列，2001年进入市场。C3是投资组合中的“主力军”。 场效应管SPP11N80C3的功能 1.低比导通电阻（RDS（on）*A） 2.400V时输出电容（Eoss）储能非常低 3.低栅电荷（Qg） 4.经现场验证的CoolMOS™质量 5.自1998年起，英飞凌就开始生产CoolMOS™技术 场效应管SPP11N80C3优势 1.高效率和功率密度