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  • 英飞凌MOS管场效应管BSC030N08NS5功能参数应用及Datasheet 英飞凌MOS管场效应管BSC030N08NS5功能参数应用及Datasheet
    英飞凌MOS管场效应管BSC030N08NS5特征概要 1.针对同步整流进行优化 2.适用于高开关频率 3.输出电容降低高达44% 4.研发(开)减少高达44% ​​​​​​​ 英飞凌MOS管场效应管BSC030N08NS5优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.需要较少的并联 4.功率密度增加 5.低压超调 英飞凌MOS管场效应管BSC030N08NS5应用 1.电信 2.服务器 3.太阳能 4.低压驱动器 5.轻型电动汽车 6.适配器

    时间:2020/5/20键词:场效应管

  • 英飞凌MOS管场效应管BSC0702LS 功能参数应用及Datasheet 英飞凌MOS管场效应管BSC0702LS 功能参数应用及Datasheet
    OptiMOS™低压功率mosfet-完美满足充电器和适配器设计的需要 OptiMOS™PD功率MOSFET是英飞凌针对USB-PD和适配器应用的产品组合。这些产品提供快速增长和优化的交货期。OptiMOS™用于电力输送的低压mosfet能够以较少的零件进行设计,从而降低BOM成本。OptiMOS™ PD采用高质量的产品和一流的性能,在紧凑、轻巧的包装中进行差异化设计。 英飞凌MOS管场效应管BSC0702LS 功能特征概要 1.逻辑级可用性 2.低导通状态电阻RDS(开) 3.低栅极、输出和反向恢复充电 4.优异的热性能

    时间:2020/5/18键词:场效应管

  • 英飞凌MOS管场效应管IPB65R190CFD功能参数及应用 英飞凌MOS管场效应管IPB65R190CFD功能参数及应用
    650V CoolMOS™ CFD2 更换 为600V CoolMOS™ CFD7 650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先的高压CoolMOS™ 集成快体二极管的mosfet。CFD2装置是600V CFD的后继产品,提高了能效。较软的换相行为,因此更好的电磁干扰行为,使该产品明显优于竞争对手的部分。 英飞凌MOS管场效应管IPB65R190CFD功能特征概要 1.650V技术,集成快速体二极管 2.硬换相期间的有限电压超调 3.与600V CFD技术相比,Qg显著降低 4.较紧的RDS(开)max到RDS(开)typ窗口 5.易于设计 6.与600V CFD技术相比,价格更低 英飞凌MOS管场效应管IPB65R190CFD优势 1.由于重复换向体二极管的低Qrr而导致的低开关损耗 2.自限di/dt和dv/dt 3.低生活质量 4.减少开启和开启延迟时间

    时间:2020/11/25键词:场效应管

  • 场效应管MOS管放大器原理及种类 场效应管MOS管放大器原理及种类
    场效应管MOS管放大器原理 MOS管有三端:输入端+输出端+第三端,可把第三端固定为一定的电位,即形成三种放大电路。 三种放大电路:源极接地+栅极接地+漏极接地 原理:源极+栅极+漏极,其中一个极接到固定电位上即可形成;

    时间:2020/5/14键词:场效应管

  • 英飞凌MOS管场效应管ICE3PCS02G功能参数应用及Datasheet 英飞凌MOS管场效应管ICE3PCS02G功能参数应用及Datasheet
    ICE3PCS02G是用于有源CCM功率因数校正转换器的新型8针宽输入范围(85VAC至265VAC)控制器IC。与第一代和第二代ICE1PCSOX和ICE2PCSOX相比,第三代功率因数校正电路的最低内部基准电压为2.5V,集成了数字控制电压环,还具有0.2V的低峰值电流限制、21kHz到100kHz的可调门极开关频率范围以及能够与外部频率范围从50kHz到100kHz。它们现在能够在所有输入电压范围内实现95%的满负载效率。 英飞凌MOS管场效应管ICE3PCS02Ga功能特征概要 1.易于使用,几乎没有外部组件 2.平均电流控制 3.集成数字电压环补偿 4.外部电流补偿,提高用户灵活性 5.可编程开关(20kHZ-100kHz) 6.外部同步(50kHz~100kHz) 7.直接感应,带滞后的输入褐化检测 8.最大占空比95%(典型值) 9.微调内部参考电压(2.5V±1.2%) 10.V cc欠压锁定 11.低峰值电流限制阈值 12.开环检测 13.输出欠压检测 14.增强动态响应 15.符合IEC1000-3-2的D级规范

    时间:2020/5/13键词:场效应管

  • 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS01G功能参数应用及Datasheet 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS01G功能参数应用及Datasheet
    CE2PCS0x/G是采用BiCMOS技术的第二代连续导通模式PFC控制器。与第一代ICE1PCS01/02相比,新集成电路具有较低的3V内部基准电压,还具有Vcc工作范围宽、内部振荡器改进和附加的直接体电容过电压保护等优点。 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS01G功能特征概要 1.易于使用,几乎没有外部组件 2.支持范围广泛 3.平均电流控制 4.外部电流和电压回路补偿,提高用户灵活性 5.可编程操作/开关频率(50kHz-250kHz) 6.125kHz时95%(25°C时)的最大占空比 7.微调内部参考电压(25°C时3V+2%) 8.VCC欠压锁定 9.逐周期峰值电流限制

    时间:2020/5/12键词:场效应管

  • 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS02G功能参数应用及Datasheet 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS02G功能参数应用及Datasheet
    ICE2PCS0x/G是采用BiCMOS技术的第二代连续导通模式PFC控制器。与第一代ICE1PCS01/02相比,新集成电路具有较低的3V内部基准电压,还具有Vcc工作范围宽、内部振荡器改进和附加的直接体电容过电压保护等优点。 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS02G功能特征概要 1.易于使用,几乎没有外部组件 2.支持范围广泛 3.平均电流控制 4.外部电流和电压回路补偿,提高用户灵活性 5.可编程操作/开关频率(50kHz-250kHz) 6.125kHz时95%(25°C时)的最大占空比 7.微调内部参考电压(25°C时3V+2%) 8.VCC欠压锁定 9.逐周期峰值电流限制 10.输出过压保护 11.开环检测 12.增强动态响应 13.短启动(软启动)持续时间 14.满足IEC 1000-3-2的D级要求 15.软过电流保护

    时间:2020/5/11键词:场效应管

  • 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS02G功能参数应用及Datasheet 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS02G功能参数应用及Datasheet
    ICE2PCS0x/G是采用BiCMOS技术的第二代连续导通模式PFC控制器。与第一代ICE1PCS01/02相比,新集成电路具有较低的3V内部基准电压,还具有Vcc工作范围宽、内部振荡器改进和附加的直接体电容过电压保护等优点。 英飞凌MOS管场效应管ICE2PCS02G功能特征概要 1.易于使用,几乎没有外部组件 2.支持范围广泛 3.平均电流控制 4.外部电流和电压回路补偿,提高用户灵活性 5.可编程操作/开关频率(50kHz-250kHz) 6.125kHz时95%(25°C时)的最大占空比 7.微调内部参考电压(25°C时3V+2%) 8.VCC欠压锁定 9.逐周期峰值电流限制 10.输出过压保护 11.开环检测 12.增强动态响应 13.短启动(软启动)持续时间 14.满足IEC 1000-3-2的D级要求 15.软过电流保护

    时间:2020/5/9键词:MOS管

  • 场效应管MOS管开关电源电路图及电路注意事项 场效应管MOS管开关电源电路图及电路注意事项
    驱动电路加速场效应管MOS管关断时间 MOS管:用变压器驱动即在 高端驱动或安全隔离时。 R1抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡,C1隔开直流,通过交流防止磁芯饱和。场效应管MOS管开关电源电路图(4) 小功率驱动电路 应用:要求隔离开关设备 优势:结构简单,成本低,开关速度快,驱动能力强。 注意事项:串接小电阻(0.5~1Ω)用于限流,防止两个MOS管直通。

    时间:2020/5/8键词:场效应管

  • 英飞凌MOS管场效应管2EDN7524F功能参数及应用Datasheet 英飞凌MOS管场效应管2EDN7524F功能参数及应用Datasheet
    快速双通道5A栅极驱动器为驱动标准和超结mos管场效应管以及GaN功率开关器件而优化。 输入信号是低电压TTL和3.3V CMOS兼容,具有高达+20V和低至-10V直流的极宽电压处理能力。在输入引脚处处理-10V直流电的独特能力可保护设备不受地面弹跳的影响。两个输出端都能利用一个真正的轨对轨输出级吸收和产生一个5A电流,这确保极低的阻抗0.7Ω到正极,0.55Ω到负极分别是铁轨。 出色的信道间延迟匹配,典型。1ns,通过两个通道的并联实现源和汇容量的无风险倍增,峰值可达10A。工业标准管脚和不同逻辑输入/输出配置的结合保证了高度的灵活性并缩短了研发时间。栅极驱动器有三种封装选项:PG-DSO-8-pin、PG-VDSON-8-pin和PG-TDSSO-8-pin(体积小,与DSO-8相比热性能提高)。 英飞凌MOS管场效应管2EDN7524F功能特征概要 1.5A峰值源/汇电流 2.5ns(典型)上升/下降时间 3.<10ns传播延迟容限 4.8V UVLO选项 5.19 ns(典型)传播延迟,用于控制输入和启用

    时间:2020/5/7键词:场效应管(MOS管)

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