在电源电路设计中，MOS管G极会串联一个小电阻，如下图标红所示G极串联电阻R13； R13作用：限制G极电流+抑制振荡。MOS管是电压驱动，G级电流很小，由于有寄生电容，MOS管开或关时，对电容进行充电，瞬间电流大。如MOS管FDS2582   Ciss=1290pF 若：Vgs=10V  dt=Tr(上升时间)=20ns   G极开关时瞬间电流 I=Ciss*dVgs/dt =0.6A G极串联一个电阻: 与Ciss形成RC充放电电路，减小瞬间电流值，以保证MOS管驱动芯片不会被损坏。

晶体管与场效应管优劣 1.只允许从信号源取较少电流时，选择场效应管; 2.信号电压较低+允许从信号源取较多电流时，选择晶体管； 3.场效应管：是单极型器件，利用多数载流子导电； 4.晶体管：是双极型器件，有多数载流子+也利用少数载流子导电； 5.场效应管灵活性 > 晶体管灵活性：场效应管源极与漏极可互换，栅压可正可负； 6.场效应管：在很小电流和很低电压时工作，制造工艺可多个集成在一块硅片上； 7.场效应管：高输入阻抗+低噪声，可应用：

场效应管MOS管是电压驱动电子元器件，要完全导通，要栅极驱动电压幅度够大，低压IC电路输出幅度较小，直接用来驱动场效应管MOS管，否则无法完全导通。 因此增加一级双极型三极管驱动电路来驱动场效应管MOS管。

测电阻法测场效应管MOS管好坏 用万用表置于R×10或R×100档，测S-D间电阻: 电阻值 > 正常电阻值（一般几十欧到几千欧范围），可能内部接触不良; 测得电阻值无穷大：可能内部断极； 用万用表置于R×10k档，测栅极G1-G2间，栅极-源极，栅极-漏极它们间电阻值： 此电阻值均为无穷大，则MOS管正常； 此电阻值小或通路，则MOS管已坏； 注：如两栅极在管内断极，可用其它电子元器件代替测试；

场效应管MOS管区别 场效应管分：结型场效应管JFET + 绝缘栅场效应管MOS管 即MOS管是场效应管其中一种小分类； 结型场效应管（JFET） JFET全称：Junction Field-Effect Transistor 分类：N沟道结型场效应管 + P沟道结型场效应管 三极：栅极+漏极+源极 电路符号：栅极箭头方向，即为两个PN结正向导电方向 工作原理：通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流控制

结合高能效和易用性的优化超结mosfet 600V CoolMOS™ P7超结MOSFET是600V CoolMOS™的后继产品 P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。最佳的R onxA和CoolMOS™固有的低栅电荷（Q G） 第七代平台保证了其高效率。 英飞凌infinneon IPD60R180P7S 功能特征概要 1.600V P7支持出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G 2.静电放电强度≥2kV（HBM 2级） 3.集成栅极电阻器 4.坚固的体二极管 5.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合 6.提供标准级和工业级零件

场效应管MOS管高端驱动 MOS管相对于负载在电势高端，D极连接电源+S极通过负载接地； NMOS管：Vgs > 开启电压，导通； 不能导通：S极电位无法确定，Vgs > 开启电压，DS导通，电位: D极= S极，同为电源电位时：如：G极电位 > 电源电位，否则导通不能持续。

MOS管通过加在输入端栅极电压来控制输出端漏极电流。 MOS管是电压控制的电子元器件，即用电压控制G脚实现对管子电流控制，如：增强型N沟通MOS管，可用电压控制G脚电压，此电压值必须上升到10V方可；一个控制电压比较器同相输入端和一个参考电压比较器反相输入端，同时进入电压比较器，比较器电法接正12V和地，比较器输出经过5.1K电阻上拉后接G脚，如果控制电压比参考电压高，则控制MOS管导通输出电流。

600V CoolMOS™ P7超结MOSFET是600V CoolMOS™的后继产品P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。同类最佳的RonxA和CoolMOS™ 固有的低栅电荷（QG）第七代平台保证了其高效率。英飞凌场效应管MOS管IPA60R280P7S特征概要 1.600V P7支持出色的FOM RDS（on）xEoss和RDS（on）xQG 2.静电放电强度≥2kV（HBM 2级） 3.集成栅电阻RG 4.坚固的体二极管 5.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合 6.提供标准级和工业级零件

1.漏源电压VDS选择 MOS管实际工作环境最大峰值漏源极间电压 ≤ 规格书所标漏源击穿电压的 90% 公式：VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS PS：V(BR)DSS 正温度系数，取设备最低工作温度下的值； 2.漏极电流选择 MOS管实际工作环境最大周期漏极电流 ≤ 规格书最大漏源电流的90%; 表达式：ID_max ≤ 90% * ID 漏极脉冲电流峰值 ≤ 规格书漏极脉冲电流峰值的90%； 表达式：ID_pulse ≤ 90% * IDP