MOS场效应管正向导通等效电路，用一个电阻等效 电阻：随温度升高，而变大，随门极驱动电压升高，而变小；MOS场效应管在门级控制下反向导通等效电路，用一个电阻等效， 电阻：随温度升高，而变大，随门极驱动电压升高，而变小； 电路工作状态：MOS管同步整流工作，低压大电流输出开关电源重要的工作状态；

MOS场效应管晶体管电路拓扑电源效率技术不断提高，从电流驱动转换成电压驱动， 平面栅极功率MOS场效应管面向高压电子元器件，BVDSS电压=500-600V功率MOS场效应管传导损耗受到：沟道密度+JFET阻抗+外延阻抗的影响，因此要降低传导损耗，得提升晶体管单元密度； 光刻设备越来越精密，功率MOS场效应管BVDSS范围<100V，因此产生新应用电源+汽车电子+电机控制等； MOS场效应管应用于降压转换器+更宽电源电压范围，推进更高性能的电子元器件；

高压MOS场效应管应用于SD486X芯片 SD486X系列芯片 封装DIP-8 组成：电流模式PWM+PFM控制器+内置高压MOS场效应管 内部集：原线圈过流保护+过压保护+过载保护+过温保护+欠压锁定+脉冲前沿消隐； 在产生保护后，可不断自动重启，至系统正常； 优势 1.高集成度+小占板面积+便于整机调试 2.EMI低+启动电流低+功耗低； 3.高效率>84％； 4.输出电压+启动电压+最大功率都可调节； 5.窄电压范围7~21W； 6.宽电压范围5~18W；

1.MDmesh™ V MOS场效应管有最低导通电阻 它让650V MOS场效应管RDS(ON)值<0.079Ω，有着很凑封装，能效，功率提升，适合应用于低能耗和小尺寸率转换系统； 如：STP42N65M5，33A，TO-220封装，导通电阻0.079Ω； 大电流的，封装Max247，RDS(ON)=0.022Ω 封装TO-247 RDS(ON)=0.038Ω RDS(ON)值改进，可降低电源和PFC电路电能损耗，推进更低能耗+小尺寸产品， 多漏网格技术，改进晶体管漏极结构，降低漏源电压降，MDmesh V单位面积导通电阻RDS(ON) 值改进，也降低通态损耗，栅电荷量(Qg)非常低，应用于高速开关时可实现非常不错的能效，可提供低 FOM灵敏值 FOM灵敏值=RDS(ON) x Qg MOS场效应管击穿电压：650V 产品 > 600V产品

功率 MOS场效应管 IRF4905S提高稳压器过流保护能力，原理： 正常工作时，R2，R3把VGS偏压加在功率 MOS场效应管IRF4905S Q1上，Q1导通，有导通电阻几Ω，R1两端电压降与IC1输入电流成正比，给Q2提供基极驱动； 负载电流增加，R1两端电压升高，Q2导通，Q1栅极偏压下降，Q1导通电阻增加，并限制电流流入IC1，比例公式：IMAX=VBEQ2/R1  ≈0.6V/1Ω

FDMS36xxS分类 FDMS3602S+FDMS3604AS POWERTRENCH功率级非对称N沟道双MOS场效应管；FDMS36xx S功率级非对称双MOS场效应管优势 1.屏蔽电压调制架构 2.超低源极电感封装技术 3.低开关噪声 4.高设计可靠性 5.低设计变化敏感度 6.无外部缓冲器级减设计 7.无栅极电阻级减设计 8.低BOM成本 9.低线路板空间

英飞凌mos场效应管IPP023N08N5功能概述 1.优化同步整流 2.适用于高开关频率 3.输出电容减少高达44% 4.R DS（on）减少高达44% 英飞凌mos场效应管IPP023N08N5优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.不需要并联 4.功率密度增加 5.低电压过冲 潜在应用 1.电信 2.服务器 3.太阳能 4.低压驱动器 5.轻型电动汽车 6.适配器

TO-220AB封装的150V单N沟道HEXFET功率MOSFET 英飞凌mos场效应管IRFB4115优势 1.改进的门、雪崩和动态dv/dt 2.坚固性 3.全特性电容和雪崩 4.SOA 5.增强体二极管dV/dt和dI/dt能力 6.无铅 7.符合RoHS，卤素氟化物 英飞凌mos场效应管IRFB4115应用 1.开关电源的高效同步整流 2.不间断电源 3.高速电源切换 4.硬开关和高频电路

英飞凌mos场效应管TO-220AB封装的100V单N沟道HEXFET功率MOSFET 英飞凌mos场效应管IRL2910PBF功能概述 1.用于宽SOA的平面单元结构 2.针对分销合作伙伴提供的最广泛的可用性进行了优化 3.符合JEDEC标准的产品鉴定 4.硅优化应用开关低于100kHz 5.行业标准通孔电源组件 6.高载流能力组件（高达195 A，取决于模具尺寸） 7.焊接波 英飞凌mos场效应管IRL2910PBF参数     datasheet下载

英飞凌OptiMOS™ 5个150V功率MOSFET特别适用于低电压驱动，如叉车和电动滑板车，以及电信和太阳能应用。新产品在不影响FOM gd和FOM OSS的情况下，在R DS（on）（与SuperSO8的下一个最佳替代方案相比高达25%）和Q rr有了突破性的降低，有效地减少了设计工作量，同时优化了系统效率。此外，超低的反向恢复电荷（SuperSO8中qrr=26nc）增加了换向的坚固性。 英飞凌mos场效应管IPP051N15N5特征概述 1.降低研发成本（开），而不影响FOM gd和FOM oss 2.较低的输出电荷 3.超低反向恢复费用 4.增加了减刑的坚固性 5.开关频率可能更高 英飞凌mos场效应管IPP051N15N5潜在应用 1.低压驱动器 2.电信 3.太阳能