N沟道mos场效应管 英文全称Metal-Oxide-SemIConductor  简称MOS管 结构：p型衬底和两个高浓度n扩散区构成MOS场效应管，称n沟道MOS场效应管； 它导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道； n沟道增强型MOS场效应管n沟道增强型MOS管， 栅源电压 >大于阈值电压 导电沟道产生n沟道MOS场效应管 栅源间电压=零，有导电沟道产生n沟道MOS场效应管，即n沟道耗尽型MOS管； 场效应管导通和截止，栅源间电压控制； N沟道管加正向电压即导通，P沟道管加反向电压即导通；  增强型管必加电压导通，耗尽型管一直处于导通状态，加上栅源电压即截止； 场效应管工作状态： 截止+线性扩大+饱和 开关电路：让管子工作在截止+饱和状态的电路； 晶体管截止，集电极不吸收电流表示开关 以晶体管饱和，发射极和集电极间电压差≈0V，即开； 开关电路在数字电路中应用中： 输出电位≈0V，即0； 输出电位≈电源电压，即1； 数字集成电路内部晶体管工作在开关状态;

场效应管放大电路直流通路分类 分压式偏置电路+自给偏压电路 分压式偏置电路，IDSS及VP 与温度相关 场效应管放大电路要设法稳定静态工作点； 通过R1与R2分压，给栅极给栅极IE电压，RS选择较大值，Q点不过低，减小栅极电流， Rg作用：增大输入电阻； 分压式偏置电路确定静悉工作点，可图解法及计算法，UG≠0，自给偏压电路,工作原理 正常工作：场效应管栅极不取电流 IG= 0  UG = 0 IS = ID 流过RS 产生电压Us＝IsRs＝IdRs， 有UGS = UG- US= - IDRS 场效应管自身电流ID产生栅极所需负偏压，即自给偏压 减小RS对放大倍数影响，RS 两端并联旁路电容 Cs； 静态工作点 电路直流通路： UGS = UG- US= - IDRSGS0223 UDS = ED - ID（RS + Rd） GS0224

2606主控电路图电源开机电路中P沟道MOS场效应管，原理： 电池正电通过开关S1接到Q1的源极2脚，Q1=P沟道场效应管，1脚栅极通过R20电阻提供正电位电压，不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚不得电压，不能工作； 若：按SW1开机，正电通过R11，R23，D4加到三极管Q2基极，三极管导通，因三极管发射极接地，Q2导通=Q1栅极接地，通过R20电阻电压直接接地，Q1栅极从高电位到低电位， Q1导电从Q1同过加到3v稳压IC输入脚，U1输出3v的工作电压vcc供给主控，主控通过复位清0，读取固件程序检测，输出控制电压到PWR_ON，通过R24、R13分压到Q2基极， Q2保持导通，松开开机键断开Q1基极电压，主控送给控制电压保持，Q2仍继续导通状态， 即Q1能保持提供3v稳压IC工作电压； SW1通过R11，R30电阻分压给主控PLAY ON脚送控制信号，此控制信号时间长短及次数不同；

什么是有机场效应晶体管 英文全称：organic fieldeffect tran-sisbor   简称：OFET 应用：传感器，互补逻辑电路，可用于全有机主动显示，超大规模集成电路，超导材料制备等； 特点：低温加工，材料来源广，可与柔性衬底兼容，成本低； 有机场效应晶体管组成 源极source+漏极drain+栅极gate+有机半导体层+栅绝缘层 有机场效应晶体管分类 底栅页接触式+底栅底接触式+顶栅顶接触式+项栅底接触式有机场效应晶体管结构 它像电容器 源极，漏极，有机半导体薄膜的导电沟道可看作一个极板，栅极可作一个极板； 栅源间间从VGS负电压，绝缘层附近半导体层中感应出带正电的空穴，栅极处会积祟带负电电子； 可通过调节绝缘层中电场强度即可调节源漏间电流； 因：源漏间加负电压VDS，即源漏间产生电流IDS，调节VGS与Vns可调节绝缘层中电场强度； 随电场强度不同，感应电荷密度也不同，源漏间导电通道宽窄也不同，源漏间电流也会改变。

MOS场效应管参数 1.最大漏极电流 IDM 2.漏源击穿电压 V(BR)DS 3.栅源击穿电压 V(BR)GS 4.最大漏极耗散功率 PDM 5.开启电压VT ： VDS=一定值 产生 ID需要最小 |VGS | 值 6.饱和漏极电流IDSS ： VGS = 0  MOS场效应管发生预夹断时漏极电流 7.低频跨导 gm ：VGS对iD控制作用，转移特性曲线：gm 是曲线在某点上的斜率，可由iD公式求导得单位为 S 或 mS。8.极间电容：漏源电容CDS= 0.1～1pF  栅源电容CGS = 栅漏极电容CGD=1～3pF 9.夹断电压VP: VDS=一定值  ID对应一微小电流时 |VGS | 值，MOS场效应管耗尽型： VGS=0时，漏极与源极间  有导电沟道， 在VDS作用下iD MOS场效应管增强型 VGS=0 ，漏极与源极间  没有导电沟道， 在VDS作用下无iD N沟道增强型结构与符号

英飞凌mos场效应管IRLHM620TRPBF，pqfn3.3×3.3封装的20V单N沟HEXFET功率MOSFET，优势 1.针对分销合作伙伴提供的最广泛的可用性进行了优化 2.符合JEDEC标准的产品鉴定 3.优化为4.5 V栅极驱动电压（称为逻辑电平），并能够在2.5 V栅极驱动电压下驱动（称为超级逻辑电平） 4.行业标准表面安装电源组件 5.高RDS（ON）SuperSO8包的潜在替代品 6.能够进行波峰焊接

场效应管共源极放大器实验电路图 如下图所示： 自给偏压方式为放大器建立静态工作点，R1中无电流流过，栅极通过R1接地，栅极与地等电位。 VG=0 用万用表测出静态工作点IDQ和VDSQ值； 输出阻抗测量  放大器输出阻抗值 场效应管共源极放大器带负载能力 用伏安法测试放大电路输出阻抗测试电路图,输入信号频率选择在放大电路中频段 输入信号大小调整到确保输出信号不失真 用示波器监视输出信号波形 1.不接负载RL，用毫伏表测得输出电压V01 2.接上负载RL，用毫伏表测得输出电压V02

特性曲线有2条：输出特性曲线+转移特性曲线，输出特性曲线意义解析栅极与源极电压UGS 一定时，漏极电流iD与漏极与源极间电压UDS的关系，结型MOS场效应管转移特性曲线作用：在一定漏源电压u陌，栅极与源极电压UGS和漏极电流iD间变化关系曲线，栅流ic被不容许出现，让输入阻抗值大，栅极与源极电压对沟道宽度及漏极电流有效地停止控制，PN结一定要反偏，因此N沟道结型场效应管中uGS < 0

单端甲类场效应管功放电路电路原理：简洁+电子元器件能少即少，多一个电子元器件和多一条线路即多一分失真；VMOS场效应管：有负电流温度系数，栅源间电压不变，导通电流随管子温度升高而减小，但场效应管温度变化与电流变化速率差异大，防止负温度系数惯性延迟影响工作状态，则：在IRF510阴极串上补偿电阻； 补偿电阻：正温度系数，阻值=100Ω/2W VMOS场效应管电压控制电子元器件，内阻高，栅源间连接充电电容， 栅漏电流小，电容电压保持不变在长时间段，场效应管工作在可调电阻区， 漏源极电阻受栅源电压（电容电压）控制，此时场效应管=压控可变电阻， 指触开关S1闭合，向电容充电； 指触开关S2闭合，电容放电； 达到以电压控制漏源间电阻； 在音响设备中，即可调节音量大小；

场效应管小信号等效模型电：低频小号线性模型+高频小号线性模型电路图及公式，分析它们之关的关系，模型适应用：中、低频段场效应管(此时场效应管内部各等效电容因其容抗很小而被认为开路) ，该小信号模型与场效应管类型和图b小信号线性等效模型和放大组态无关。 注意该模型：受控源gmUgs方向，从漏极D指向源极S。 如上图b所示 考虑场效应管极间等效电容后的场效应管高频小信号线性模型。 在工作频率较高时，等效电容Cgs，Cgd，Cds等的容抗将在其中起到分流或分压的作用，