电压失效形态：硅片中间某位置产生击穿洞，即热点； 原因：过压产生雪崩击穿，过压MOS场效应管内部寄生三极管导通， 因三极管有负温度系数特性 局部流过三极管电流大，温度高， 温度高，流过电流大，致器件内部形成局部热点损坏； 硅片中间区域散热条件最差，也易产生热点。损坏位置在S极，靠近G极 原因：电容能量放电形成大电流，全流过MOS场效应管，即全部电流汇集在S极，温度最高，易损坏；

突然断开电源与其负载，流过电路寄生电感元件大电流摆动产生巨大尖峰电压，会损坏元件， 因此，用MOS场效应管来隔开输入电源与其他电路，以减轻具有破坏力浪涌电流带来的损失，通过控制器调节输入电压+输出电压间MOS场效应管栅源偏压，让其在饱和状态，防止电流通过。

CMOS场效应管求和比较器电路结构 如下图所示 求和比较器结构是折叠式； 组成从M 1-M 6组成3对差分对； 电流和比较实现3组电压和的比较； M 1+ M 3 +M 5形成电流：m 16-m 17折叠→输出缓冲电流镜m 15漏端； M 2+ M 4+M 6 形成电流：m 18-m 19折叠→输出缓冲电流镜m 14漏端→ MOS场效应管m9得信号R。 信号R=脉冲宽度调制信号

MOS场效应管连续漏极电流符号ID，它是一个计片值，封装一定+芯片大小一定，如：底部有裸露铜皮封装DPAK，TO220，D2PAK，DFN5*6，元件结到裸露铜皮热阻RθJC值确定。 硅片最大工作结温TJ，裸露铜皮温度TC，常温25℃ 得元件允许最大功耗PD，RDS(ON)_TJ(max) 最大工作结温TJ的导通电阻 硅片允许最大工作结温=150℃ 电流基于最大结温计算值

优化Mos场效应管用何种负载电流 负载范围内实现均衡效率，那要查看四象限SR元伯优化表，对应Mos场效应管电流作选择。 满负载优化方式 输出电流高，实现效率好，低负载时，效率降低，且增加并联Mos场效应管数量，不可为之。 得到Mos场效应管电流最优值，整个输出电流范围内，实现相对恒定效率值。

MOS场效应管=金属氧化物半导体场效应管 组成：金属+氧化物SiO2或SiN)+半导体 功率MOSFET即Power MOSFET：输出大工作电流，应用于功率输出级，工作电流=几安~几十安 MOS场效应管的重要参数 最大耐压+最大电流能力+导通电阻RDSON 导通电阻RDSON 它是这三个参数的最生要的一个参数，电阻越小，导损耗越小； MOS场效应管总损耗=导通电阻造成导通损耗+闸极电荷造成驱动电路上损耗切换损耗+输出电容在截止或导通过程中造成功率MOSFET储能耗能

PMOS场效应管变容高频特性建模 晶体管级电路模拟仿真用Candence Spectre及HSpice，据晶体管静态条件，建模型容易对PMOS场效应管变容管准静态特性获取，无法获取高频特性. 根据MOS场效应管变容管准静态特性基本参数 用特性曲线拟合对PMOS场效应管高频特性建模

MOS场效应管驱动器应用于电机控制时，如何选择适合电子元器件。功率开关器件选择 由被驱动电机额定功率决定，启动电流值最高=稳态工作电流值*3 选择的器件：MOS场效应管与IGBT,元件输入级，把输入低电压信号转化成电压覆盖全范围信号 Q1=MOSFET驱动器上拉输出驱动器级 Q2=MOSFET驱动器下拉输出驱动器级 MOSFET驱动器输出级=一个推挽对

元件每部分存在电容+MOS场效应管并联二极管1个+寄生晶体管1个 MOS场效应管动态特性重要因素 MOS场效应管结构带本征二极管，它具有雪崩能力。  雪崩能力=单次雪崩能力+重复雪崩能力 反向di/dt大，二极管承受快速度脉冲尖刺，可能进入雪崩区，超过雪崩能力，即元件损毁。 任一种PN结二极管，动态特性复杂，与PN结正向时导通反向，阻断概念不同。 电流迅速下降，二极管一阶段失去反向阻断能力，即反向恢复时间。

电源IC直接驱动MOS场效应管 这是一种最简单的驱动方式，不同芯片，驱动能力不同，MOS场效应管有寄生电容； C1与C2值大，MOS场效应管导通时需要大能量，若电源IC驱动峰值电流不够大，MOS场效应管导通速度慢，驱动能力不足，上升沿高频振荡，即Rg值减小，也无能为力； Rg值选择由电源IC驱动能力+MOS寄生电容值+MOS场效应管开关速度决定； 选择大的MOS场效应管寄生电容，电源IC内部驱动能力不足，用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，如下图虚线部份